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本实用新型提供一种半导体结构，包括：半导体衬底；栅极堆叠，其形成于所述半导体衬底上；源/漏区，其形成于半导体衬底中；层间介质层，其覆盖所述栅极堆叠和所述源/漏区；接触孔，其贯穿所述层间介质层并延伸到所述源/漏区内部；接触金属，其填充所述接触...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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