磁盘用玻璃基板的制造方法技术

本发明专利技术提供一种磁盘用玻璃基板的制造方法，其目的之一在于，即使在玻璃基板的抛光工序中使用粒径小的抛光磨粒、且在抛光工序后的超声波洗涤工序中以高频率进行超声波处理的情况下，也可有效除去玻璃基板表面的颗粒。所述磁盘用玻璃基板的制造方法包括对玻璃基板进行抛光的抛光工序和抛光工序后对玻璃基板进行超声波洗涤的超声波洗涤工序，在抛光工序中使用粒径10nm～30nm的抛光磨粒，在超声波洗涤工序中，以300KHz～1000KHz的频率进行第一超声波洗涤而形成二次粒子，然后以30KHz～100KHz的频率进行第二超声波洗涤。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
随着信息化技术的提高，信息记录技术、特别是磁记录技术正在显著进步。在用于磁记录介质之一的HDD (硬盘驱动器)等的磁盘中，正在持续进行快速的小型化、薄板化及记录密度的增加和存取速度的高速化。在HDD中，使具有磁性层的磁盘在圆盘状的基板上高速旋转，使磁头在该磁盘上浮起飞行，与此同时进行记录和再生。由于伴随存取速度的高速化，磁盘的旋转速度也变快，因而对磁盘来说要求更高的基板强度。另外，伴随记录密度的增加，磁头也从薄膜磁头向磁阻磁头(MR磁头)、巨磁阻 磁头(GMR磁头)发展，进而，通过导入DHl (动态飞行高度)控制机构，磁头自磁盘的浮起量(磁头和磁盘的间隙之中最窄的距离)变窄至2nm左右。因此，当磁盘面上具有凹凸形状时，有时会出现磁头碰撞所致的破碎损害、和/或由空气的绝热压缩或接触导致加热而出现读取错误的过热(thermal asperity)损害。为了抑制这种对磁头产生的损害,将磁盘的主表面预先加工成极平滑的表面变得极为重要。因而目前，作为磁盘用的基板，逐渐使用玻璃基板代替以往的铝基板。这是因为，与由软质材料的金属构成的铝基板相比，由硬质材料的玻璃构成的玻璃基板在基板表面的平坦性方面优异。另外，玻璃基板比铝基板硬，因此可以抑制高速旋转时基板的变形或错舌L。由此可以降低与磁头碰撞的风险。另一方面，即使在使用玻璃基板的情况下，由于在提高记录密度的同时磁头的浮起量下降，因此，磁盘用玻璃基板的表面的平滑化和颗粒(污染物)的除去变得更加重要。特别是在新一代的比特图形化介质、分离磁道介质中，由于磁性粒子被分别区分，因此可以预料，玻璃基板表面的微细凹凸和/或附着在玻璃基板表面的微细颗粒的存在变严重。因此，为了提高玻璃基板的平滑化而除去玻璃基板表面的颗粒，对玻璃基板进行抛光工序和/或超声波处理工序(例如，参照专利文献I)。现有专利文献专利文献专利文献I :日本特开2004-335081号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题近年来，为了提高玻璃基板表面的平滑化，玻璃基板的抛光中所使用的抛光磨粒的粒径正在不断缩小。另一方面，为了实现浮起量的进一步下降，逐渐发展成就连磁盘表面上极微小的凸出形状也不被允许的清况。因此，玻璃基板的抛光中所使用的微小的抛光磨粒的除去成为重要的课题。可是，在以除去玻璃基板表面的颗粒为目的而在抛光工序后进行的超声波洗涤工序中，为了确定对对象粒径适用的频带，必须随着洗涤对象的粒径缩小而提高频率。例如，在专利文献I中，使用0. 8iim的抛光磨粒进行抛光后，实施50KHZ的超声波洗涤。因此，一般认为，在抛光磨粒变得更小的情况下，必须更高地设定超声波的频率。但是，已知超声波频率变高时，无法充分除去抛光磨粒。推测这是因为，由于超声波频率变高，导致洗涤对象粒径以外的微粒的运动也变得活跃，碰撞而凝集成大的粒子。例如已知，通过照射较高频率(120 950KHz)的超声波，粒径20nm左右的颗粒未被除去而凝集。另一方面，存在如下问题对于粒径20nm的颗粒，即使照射较低频率(例如SOKHz)的超声波也无法顺利地除去。另外，近年来，为了进一步提高记录密度，开发了在磁头上搭载Dra (动态飞行高度)技术的HDD。利用该技术可以使磁头元件部比以往更加接近介质表面而减小磁性间隔。另一方面，已知，在使用DHl磁头的情况下，必须使磁盘的主表面比以往更平滑且洁净至异物等缺陷更少。认为这是由于对Dra磁头而言，并不是降低磁头主体的浮起量来接近磁盘表面，而是仅突出磁头元件部周边来接近介质表面，因此，即使是极少的表面凹凸的紊乱或与异物的接触，磁头元件部也会受到影响。例如，为了实现每张2. 5英寸的磁盘具有500GB以上的记录密度，要求将突出的磁头元件部和磁盘之间的间隔优选设定为Inm以下。 本专利技术正是鉴于上述课题而完成的，其目的之一在于，即使在玻璃基板的抛光工序中使用粒径较小的抛光磨粒、且在抛光工序后的超声波洗涤工序中以高频率进行超声波处理的情况下，也能有效除去玻璃基板表面的颗粒。解决课题的手段本专利技术的的特征在于，包括对玻璃基板使用具有规定粒径的抛光磨粒进行抛光的抛光工序、和在抛光工序后对玻璃基板进行超声波洗涤的超声波洗涤工序，超声波洗涤工序为在以使具有规定粒径的颗粒凝集的频率进行第一超声波洗涤而形成二次粒子后，以将二次粒子作为洗涤对象的频率进行第二超声波洗涤。本专利技术的的特征在于，包括对玻璃基板进行抛光的抛光工序、和在抛光工序后对玻璃基板进行超声波洗涤的超声波洗涤工序；在抛光工序中使用粒径为IOnm 30nm的抛光磨粒，在超声波洗涤工序中，以300KHz lOOOKHz的频率进行第一超声波洗涤而形成二次粒子后，以30KHz IOOKHz的频率进行第二超声波洗涤。在本专利技术的中，优选通过进行第一超声波洗涤，形成粒径为IOOOnm 3000nm的二次粒子。在本专利技术的中，上述抛光工序优选为对玻璃基板进行的多个抛光工序中的最终的抛光工序。专利技术效果在对玻璃基板进行抛光后而进行的超声波洗涤工序中，以较高频率进行第一超声波洗涤后，以较低频率进行第二超声波洗涤，由此，即使在抛光工序中使用粒径较小的抛光磨粒，也能抑制由抛光磨粒等弓I起的凝集颗粒残留，从而有效除去玻璃基板表面的颗粒。具体实施例方式本专利技术人以更进一步提高玻璃基板表面的平滑化为目的，并且以缩小抛光工序中使用的抛光磨粒的粒径、同时除去微细的颗粒为目的，在抛光后的超声波洗涤工序中采用较高频率进行超声波洗涤，结果面临如下以往不会成为问题的问题来自于抛光磨粒的颗粒(粒径IOnm 30nm)凝集而残留在玻璃基板表面。S卩，已知，即使伴随抛光磨粒的微小化而提高超声波频率，异物也会残留在玻璃基板表面。对该异物进行了分析，结果为微小的抛光磨粒的凝集体。由此认为是由于通过高频率的超声波，以异物为核心等，抛光磨粒凝集变大，因此，最初的高频率对于洗涤去除来说变得不适合。因此，为了解决该问题进行了潜心研究，结果发现，在抛光工序后实施的超声波洗涤工序中，在以较高频率(300KHz lOOOKHz)照射超声波使来自抛光磨粒的颗粒凝集后，通过切换成较低频率(30KHz IOOKHz)照射超声波，可以有效除去玻璃基板表面的颗粒，并且不会在玻璃基板上产生由超声波引起的凹陷。以下，具体说明本专利技术的。本实施方式所示的至少包括对玻璃基板使用具有规定粒径的抛光磨粒进行抛光的抛光工序、和在抛光工序后对玻璃基板进行超声波洗涤的超声波洗涤工序，超声波洗涤工序为在以使具有规定粒径的颗粒凝集的频率进行第一超声 波洗涤而形成二次粒子后，以将二次粒子作为洗涤对象且不会在玻璃基板表面产生凹陷的频率进行第二超声波洗涤。例如，在抛光工序中使用粒径为IOnm 30nm的抛光磨粒的情况下，可以以300KHz lOOOKHz的频率进行第一超声波洗涤，以30KHz IOOKHz的频率进行第二超声波洗涤。在上述超声波洗涤工序中，使用相对较高的频率(300KHZ lOOOKHz)的第一超声波洗涤的目的是，除去作为洗涤对象的粒径的颗粒，同时使洗涤对象外的具有IOnm 30nm粒径的颗粒(抛光磨粒等)凝集而形成二次粒子(凝集物)，使用相对较低的频率(30KHz IOOKHz)的第二超声波处理的目的是，除去第一超声波处理中凝集的二次粒本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木阳介，
申请(专利权)人：HOYA株式会社，
类型：发明
国别省市：