【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微电子材料领域，尤其涉及。
技术介绍
随着LED照明的需求日趋迫切，高功率LED的散热问题 益发受到重视。对于高功率LED，通常输入能源的15%转换成光，剩下85%均以热的形态消耗掉。若这些废热若无法有效散出，将会使LED的结面温度过高，进而影响产品生命周期、发光效率和稳定性，对LED的寿命造成致命性的影响。例如，当LED的结面温度由25°C上升至100°C时，其发光效率会衰退20-75%。此外，LED的操作环境温度也会影响其寿命，例如当操作环境温度由63°C升至74°C时，LED平均寿命会减少3/4。因此，现有技术中开始寻求各种方式解决LED的散热问题，从而提升LED的发光效率；例如可以通过对散热基板材料进行选择或者对LED颗粒的封装方式进行优化。目前，生产上常用的大功率LED散热基板一般为较高导热率的铝金属基板，但铝金属基板中存在高分子绝缘层，其导热系数极低，降低了基板的整体散热能力，同时由于绝缘层的存在使得其无法承受高温焊接，限制了封装结构的优化，散热效果较差。目前常用的高功率LED陶瓷封装基座一般采用氧化铝陶瓷材料，例如CN10133531...
【技术保护点】
一种氧化铝基陶瓷，其特征在于，所述氧化铝基陶瓷中含有100重量份的氧化铝，10？20重量份的锰酸锶镧和5？50重量份的烧结助剂；锰酸锶镧的化学式为LaxSr1？xMnO3，其中x=0.15？0.20。
【技术特征摘要】
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