【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置及其制造方法。
技术介绍
随着近年来的电子设备的轻薄短小化，对于内部的半导体装置也要求其高密度化和高性能化。通过半导体装置的高密度化，微细的结合处増大，装置本身也薄型化。这样的高密度化半导体装置与现有的半导体装置相比对热应力等的耐受性降低，需要想办法保持可靠性。作为满足这样的要求的结构，提出附图说明图10所示的结构(例如，參见专利文献I)。在图10所示的结构中，半导体元件101通过安装材料106被配置在电路基板102上。半导体元 件101通过金属引线103与基板电极105键合。该半导体兀件101的一部分被娃橡胶107被覆，受到保护。在硅橡胶107及半导体元件101的上侧形成有由密封树脂108所形成的密封用树脂层104。S卩，在基板102上安装了半导体元件101后，设置硅橡胶107的単体材料以被覆半导体元件101的一部分，通过使其加热固化形成保护膜，再用树脂密封，使密封树脂108与保护膜密合，构成半导体装置。在这样的半导体装置中，由构成该装置的各材料的热膨胀系数差引发的应カ因弹性率低于周围材料的硅橡胶107变形而缓和，由此能够抑制剥离等的发...
【技术保护点】
半导体装置，其特征在于，具备基板、安装于所述基板上的半导体元件、被覆所述半导体元件的至少一部分的保护膜、将所述半导体元件及所述保护膜密封的密封树脂；在所述保护膜与所述密封树脂之间至少存在1处所述保护膜和所述密封树脂未密合的空隙。
【技术特征摘要】
2011.05.13 JP 2011-1082921.半导体装置，其特征在于，具备基板、安装于所述基板上的半导体元件、被覆所述半导体元件的至少一部分的保护膜、将所述半导体元件及所述保护膜密封的密封树脂； 在所述保护膜与所述密封树脂之间至少存在I处所述保护膜和所述密封树脂未密合的空隙。2.如权利要求I所述的半导体装置，其特征在于，所述保护膜具有斥水性。3.如权利要求I所述的半导体装置，其特征在于，所述保护膜由界面张カ能为15mN/m以上30mN/m以下的娃橡胶材料形成；所述密封树脂的界面张カ能为40mN/m以上60mN/m以下。4.如权利要求I所述的半导体装置，其特征在干，所述保护膜的厚度为10y m以上2000 ii m以下；所述保护膜在摄氏25度至摄氏260度的弾性率在0. 5MPa以上IOMPa以下的范围内。5.如权利要求I所述的半导体装置，其特征在于，所述保护膜由硅橡胶材料形成；所述硅橡胶材料的前体具有有机聚硅氧烷骨架；所述前体通过氢化硅烷化反应引起的热固化反应，固化为具有硅氧烷骨架的硅橡胶。6.如权利要求I所述的半导体装置，其特征在干，所述空隙的厚度为0.I y m以上100 u m以下。7.如权利要求I所述的半导体装置，其特征在于，所述基板为引线框，所述半导体元件与所述引线框的外部端子通过金属引线连接，所述保护膜被覆所述金属引线的与所述半导体元件的连接部分。8.如权利要求I所述的半导体装置，其特征在于，所述基板为电路基板，所述半...
【专利技术属性】
技术研发人员：丰田庆，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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