用于堆叠的半导体封装构造及其制造方法技术

技术编号:7899208 阅读:135 留言:0更新日期:2012-10-23 05:05
本发明专利技术公开一种用于堆叠的半导体封装构造及其制造方法,所述半导体封装构造包含一底基板、一芯片、一环形转接基板及一封装胶体。所述底基板具有数个焊垫及一芯片承载区。所述芯片固设于所述底基板的芯片承载区。所述环形转接基板设有数个转接组件及一开口,所述转接组件围绕在所述开口的周围并电性连接所述底基板的焊垫。所述封装胶体填充在所述底基板与环形转接基板之间形成的一间隙内,以及填充在所述环形转接基板的开口内,并且所述开口内的封装胶体曝露出所述芯片的一顶面。所述环形转接基板有利于使封装体上下侧具有较小的热膨胀系数差异,以相对减少产生翘曲的机率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种,特别是有关于一种利用环形转接基板减少翘曲缺陷的。
技术介绍
现今,半导体封装产业为了满足各种高密度封装的需求,逐渐发展出各种不同型式的封装设计,其中各种不同的系统封装(system in package, SIP)设计概念常用于架构高密度封装产品。一般而言,系统封装可分为多芯片模块(multi chip module, MCM)、堆叠式封装体(POP)及封装体内堆叠封装体(package in package, PIP)等。所述多 芯片模块(MCM)是指在同一基板上布设数个芯片,在设置芯片后,再利用同一封装胶体包埋所有芯片,且依芯片排列方式又可细分为堆叠芯片(stacked die)封装或并列芯片(side-by-side)封装。再者,所述堆叠式封装体(POP),其构造是指先完成一具有基板的第一封装体,接着再于第一封装体的上表面堆叠另一完整的第二封装体,第二封装体透过适当转接组件(如锡球)电性连接至第一封装体的基板上,因而成为一复合封装构造。相较之下,所述封装体内堆叠封装体(PIP)的构造则是利用另一封装胶体将第二封装体、转接组件及第一封装体的元件等一起包埋本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于堆叠的半导体封装构造,其特征在于:所述用于堆叠的半导体封装构造包含:一底基板,具有一上表面及一下表面,所述上表面具有数个焊垫及一芯片承载区;一芯片,固设于所述底基板的芯片承载区;一环形转接基板,具有数个转接组件、数个接垫及一开口,所述转接组件设于所述环形转接基板的一下表面,所述接垫设于所述环形转接基板的一上表面,所述开口贯穿所述环形转接基板,所述转接组件围绕在所述开口的周围并电性连接所述底基板的焊垫;以及一封装胶体,填充在所述底基板与环形转接基板之间形成的一间隙内,以及填充在所述环形转接基板的开口内,且包覆所述芯片及转接组件,其中所述开口内的封装胶体曝露出所述芯片的一顶面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:沈明宗鄚智仁张惠珊
申请(专利权)人:日月光半导体制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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