版图逻辑运算方法以及集成电路制造方法技术

本发明专利技术提供了一种针对浅层离子注入层的版图逻辑运算方法以及集成电路制造方法。首先获取这些浅层离子注入层的版图；根据版图图案计算出光刻胶图案；从光刻胶图案中找出光刻胶细长线条，光刻胶细长线条指的是长度大于第一尺寸且宽度小于第二尺寸同时位于浅槽隔离上的光刻胶部分；由于光刻胶线条邻接部分的器件区域掺杂类型相同，同时浅槽隔离上的该离子注入是无效的，即对器件无影响；所以可将光刻胶线条邻接部分与隔离区上的光刻胶线条合并。根据本发明专利技术，通过将光刻胶线条邻接部分与隔离区上的光刻胶线条合并，可以消除这种浅槽隔离上的细长光刻胶线条。

【技术实现步骤摘要】
版图逻辑运算方法以及集成电路制造方法
本专利技术涉及半导体设计与制造领域，更具体地说，本专利技术涉及一种版图逻辑运算方法、以及采用了该版图逻辑运算方法的集成电路制造方法。
技术介绍
版图(Layout)包含了器件尺寸，各层拓扑定义等器件相关的物理信息数据，是集成电路从设计走向制造的桥梁。由于器件的物理特性和工艺的限制，芯片上物理层的尺寸进而版图的设计必须遵守特定的规则。这些规则是各集成电路制造厂家根据本身的工艺特点和技术水平而制定的；因此，不同的工艺就有不同的设计规则。设计者只能根据厂家提供的设计规则进行版图设计。设计规则反映了性能和成品率之间可能是最好的折衷。从设计的观点出发，设计规则可以分为三部分：1)决定几何特征和图形几何尺寸的规定；2)确定掩膜制备和芯片制造中都需要的一组基本图形单元的强制性要求；3)定义设计人员设计时所用的电参数范围。设计规则检查(DesignRulesCheck，DRC)指的是，在半导体版图设计完成后，需认真检查版图设计是否符合版图规则(例如宽度、间距等)，因为该规则是按照半导体生产工艺的能力确定的。如果不限设计不遵循该规则，则可能造成合格率损失，甚至可靠性失效等严重的后果。例如，设计规则检查可检查线宽、线与线、线与元件焊盘、线与贯通孔、元件焊盘与贯通孔、贯通孔与贯通孔之间的距离是否合理，是否满足生产要求。最终设计好的集成电路版图数据要转换成集成电路制造厂能够读懂的数据格式。目前，工业标准的数据格式主要有GDS数据流格式和CIF中间格式。与CIF相比，GDS更为普遍，几乎所有的集成电路版图设计工具都能读写GDSII。GDS文件包含了版图的所有信息，包括库和所有的单元，保留了设计中的层次结构和工艺层信息。即，GDS文件是电路版图的一种文件格式，通过Cadence软件就可以看到版图的内容。对于阱注入之类的注入层，版图的最小设计规则(最小规定尺寸)是足以获取很大的光刻工艺窗口的。对于轻掺杂、有源区注入之类的浅层注入层，版图的最小设计规则(最小规定尺寸)随着工艺尺寸变小而变得越来越小。总体上，设计规则是根据器件要求定义的。大部分设计人员在设计过程中关注于满足设计规则，而不考虑是否对于工艺窗口而言是最佳的。版图设计人员所画离子注入层的版图通常是画出离子注入打开的部分。每个器件按照设计规则画好。这些设计规则规定了离子注入打开部分的边界与有源区／体区等非隔离区的距离。器件被组合在一起后，离子注入打开部分在隔离区(如STI)上留下间距，即生产过程中的光刻胶线条。通常，同样尺寸的细长光刻胶线条，如果其下面是完全的隔离区上比其下面是衬底(例如硅)或者既有衬底又有隔离区更容易剥离，进而造成工艺窗口变小，产品合格率减低。但是如果针对容易产生光刻胶剥离的隔离区规定不同的离子注入版图空白区也就是光刻胶区的最小宽度／最大长度，则会使设计规则过于复杂，造成版图设计人员的困扰；与此同时，这种方法也会造成设计面积的极大浪费。因此，希望提供一种针对浅层注入层不干扰原始设计所需要满足的设计规则(不影响版图设计人员的设计习惯，不对其产生额外工作量)，同时优化工艺窗口、提高合格率的版图逻辑运算方法。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种不干扰原始版图设计所需要满足的设计规则(不影响版图设计人员的设计习惯，不对其产生额外工作量)，同时优化工艺窗口、提高合格率的针对浅层注入层版图逻辑运算方法、以及采用了该版图逻辑运算方法的集成电路制造方法。根据本专利技术的第一方面，提供了一种版图逻辑运算方法，其可包括：首先获取这些浅层离子注入层(包括LDD、PLUS，以下简称浅层注入层)的版图(利用设计人员原始版图进行逻辑计算，所以不增加设计人员的工作量)，版图可以是版图设计人员画的原始版图，也可以是经过通常的逻辑运算产生的层的版图；然后根据版图图案得到光刻胶图案(也就是浅层离子注入版图的空白区即注入不打开的区域)；从光刻胶图案中找出位于隔离区上的光刻胶细长线条，所述光刻胶细长线条指的是长度大于第一尺寸且宽度小于第二尺寸的光刻胶部分；其中，由于光刻胶细长线条邻接部分的器件区域掺杂类型相同，同时隔离区(例如，浅槽隔离，shallowtrenchisolation本说明书中简称STI)上的该离子注入是无效的，所以可将所述光刻胶细长线条邻接部分与所述光刻胶细长线条合并，即都变成浅层离子注入打开的区域，从而移除上述细长的光刻胶细长线条，解决生产过程中隔离区上的细长线条容易剥离、影响合格率的问题。优选地，在所述版图逻辑运算方法中，逻辑运算仅仅针对浅层离子注入无法打穿的隔离区上的离子注入版图空白区(又叫间距)，即生产过程中的光刻胶所在位置的版图进行处理。优选地，在所述版图逻辑运算方法中，将所述光刻胶细长线条邻接部分与所述光刻胶细长线条合并的步骤可包括：首先找出位于隔离区上的长度大于第一尺寸且宽度小于第二尺寸的光刻胶细长线条。然后合并光刻胶细长线条邻接部分的器件区域的浅层掺杂版图图形(例如，光刻胶细长线条邻接的是N+，那么合并N+相应的版图图形)，从而使至少一部分所述位于隔离区上的光刻胶细长线条得以消除(光刻胶被消除的区域从原来的离子注入空白区变成被注入区)，使其消除在生产过程中剥离、产生缺陷、降低合格率的可能风险。优选地，在所述版图逻辑运算方法中，由于部分隔离区上的光刻胶被消除，所以新增加了部分隔离区上的离子注入区域，即光刻胶连接的新增部分；经过版图逻辑运算后形成的浅层离子注入区域的包含所述新增部分以及原有版图的离子注入区域同时满足原有设计规则以及不再存在隔离区上光刻胶细长线条的新增设计规则检查错误。优选地，在所述版图逻辑运算方法中，将所述光刻胶细长线条邻接部分与所述光刻胶细长线条合并的步骤可包括：经过版图逻辑运算后形成的浅层离子注入区域同时满足原有设计规则以及不再存在隔离区上光刻胶细长线条的新增设计规则检查错误。优选地，在所述版图逻辑运算方法中，只针对完全位于隔离区上光刻胶图案执行所述版图逻辑运算方法。优选地，在所述版图逻辑运算方法中，所述光刻胶细长线条包括成角度的曲线线条。优选地，在所述版图逻辑运算方法中，所述光刻胶细长线条包括成直角的曲线线条。优选地，在所述版图逻辑运算方法中，所谓细长的光刻胶细长线条长度小于第一尺寸L，宽度小于第二尺寸W，并且L与W的确定是由光刻机生产能力决定的。根据本专利技术的第二方面，提供了一种采用了根据本专利技术的第一方面的版图逻辑运算方法的集成电路制造方法。通常，同样尺寸的细长光刻胶线条，如果其下面是完全的隔离区上比其下面是衬底(例如硅)或者既有衬底又有隔离区更容易剥离，进而造成工艺窗口变小，产品合格率减低。本专利技术的版图逻辑运算方法可以解决完全位于隔离区上的细长光刻胶线条在从而增大了工艺窗口，提高了产率。更具体地说，长度大于第一尺寸且宽度小于第二尺寸的位于隔离区上的光刻胶部分作为一个条状光刻胶部分，容易发生剥离，从而造成最终制成的器件失效；根据本专利技术，通过将所述隔离区上光刻胶细长线条邻接部分的离子注入区域合并，从而可以消除这种光刻胶细长线条，增大了工艺窗口，提高了产率。因此，本专利技术的版图逻辑运算方法能够不干扰原始设计所需要满足的设计规则(不影响版图设计人员的设计习惯，不对其产生额外工作量本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种针对浅层离子注入层的版图逻辑运算方法，其特征在于包括：首先获取这些浅层离子注入层的版图，版图是版图设计人员画的原始版图，或者是经过逻辑运算产生的层的版图；根据版图图案计算出光刻胶图案；从光刻胶图案中找出位于隔离区上的光刻胶细长线条，所述光刻胶细长线条指的是长度大于第一尺寸且宽度小于第二尺寸的光刻胶部分；其中，由于光刻胶细长线条邻接部分的器件区域掺杂类型相同，同时隔离区上的该离子注入是无效的，所以可将所述光刻胶细长线条邻接部分与所述光刻胶细长线条合并。

【技术特征摘要】
1.一种针对浅层离子注入层的版图逻辑运算方法，其特征在于包括：首先获取这些浅层离子注入层的版图，版图是版图设计人员画的原始版图，或者是经过逻辑运算产生的层的版图；根据版图图案计算出光刻胶图案；从光刻胶图案中找出位于隔离区上的光刻胶细长线条，所述光刻胶细长线条指的是长度大于第一尺寸且宽度小于第二尺寸的光刻胶部分；将所述光刻胶细长线条邻接部分与所述光刻胶细长线条合并。2.根据权利要求1所述的版图逻辑运算方法，其特征在于，逻辑运算仅仅针对浅层离子注入无法打穿的隔离区上的离子注入版图间距，即生产过程中的光刻胶所在位置的版图进行处理。3.根据权利要求1所述的版图逻辑运算方法，其特征在于，将所述光刻胶细长线条邻接部分与所述光刻胶细长线条合并的步骤可包括：首先找出位于隔离区上的长度大于第一尺寸且宽度小于第二尺寸的光刻胶细长线条；然后合并光刻胶细长线条邻接部分的器件区域的浅层掺杂版图图形，从而使至少一部分所述位于隔离区上的光刻胶细长线条得以消除，使其消除在生产过程中剥离、产生缺陷、降低合格率...

【专利技术属性】
技术研发人员：江红，孔蔚然，李冰寒，郑舒静，林晓帆，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：