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本发明提供了一种针对浅层离子注入层的版图逻辑运算方法以及集成电路制造方法。首先获取这些浅层离子注入层的版图；根据版图图案计算出光刻胶图案；从光刻胶图案中找出光刻胶细长线条，光刻胶细长线条指的是长度大于第一尺寸且宽度小于第二尺寸同时位于浅槽隔...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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