一种AMOLED面板像素电路的版图及其制作方法技术

本发明专利技术的一种AMOLED面板像素电路的版图，包括条状子像素、开关晶体管T1、驱动晶体管T2、扫描线Vscan、数据线Vdata、电源线、存储电容和有机发光二极管；其中扫描线Vscan在像素电路版图中沿条状子像素长边方向分布，数据线Vdata和电源线Vdd在像素电路版图中沿条状子像素短边方向分布，有机发光二极管OLED的有机材料蒸镀区域沿条状子像素短边方向加宽，长边方向不变。这些特征使本发明专利技术的子像素的有机发光材料蒸镀面积得以增大，提高了面板开口率。根据有机发光材料的JVL曲线特性，开口率的提高将减小其驱动电流密度、降低驱动电压，从而使得面板有机材料寿命延长并降低功耗，获得面板性能的提升。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及AMOLED显示
，具体涉及一种AMOLED面板像素电路的版图及其制作方法。
技术介绍
在平板显示技术中，有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode, OLED)显示器以其轻薄、主动发光、快响应速度、广视角、色彩丰富及高亮度、低功耗、耐高低温等众多优点而被业界公认为是继液晶显示器(IXD)之后的第三代显示技术。主动式OLED (Active Matrix 0LED，AM0LED)也称为有源矩阵OLED，AMOLED通过在每个像素中集成薄膜晶体管(TFT)和电容器并由电容器维持电压的方法进行驱动，可以实现大尺寸、高分辨率面板，是当前研究的重点及未来显示技术的发展方向。AMOLED像素电路的基本结构为图1所示的2T1C结构，基本像素电路具体由开关晶体管Tl、驱动晶体管T2和存储电容Cs组成。其中，开关晶体管Tl的栅极和源极分别与扫描线Vscan和数据线Vdata相连接，开关晶体管Tl的漏极与驱动晶体管T2的栅极相连接，驱动晶体管T2的源极连接电源线Vdd，漏极与发光二极管OLED相连接，OLED的另一极接地，所述存储电容Cs —端连接电源线Vdd，另一端与开关晶体管Tl和驱动晶体管T2的公共端相连接。在AMOLED面板的像素电路版图(layout，即像素元素如0LED、T1、T2及Cs的空间结构关系)中，有机发光二极管OLED的有机材料区占有像素区域除开驱动电路以外的一定区域，行业内把OLED的有机材料区占像素面积的百分比定义为OLED的开口率。在评价AMOLED的性能指标中，开口率为一重要指标。具体地说，开口率的提高可以带来面板驱动电流密度降低、驱动电压降低、功耗减小、亮度提高以及寿命延长等一系列优点。如图3a所示，假设一幅图像为M行N列(按RBG子像素计算为3N列，RGB的解复用在驱动IC中实现)，AMOLED面板现有的扫描方法是从上到下逐行进行扫描，与此相应的图像显示也是从上到下逐行显示。也就是说，先扫描第I行(同时输入第I行的3N列个子像素数据信号)，再扫描第I行(同时输入第2行的3N列个子像素数据信号)，一直到第M行(同时输入第M行的3N列个子像素数据信号)。其中AMOLED面板的像素形状为正方形，各子像素均为条状结构其长度通常为宽度的3倍。以2T1C结构的像素电路为例，现有的版图设计及制作工序如下(如图1a-1g所示):步骤I(Layerl):如图1a所示，在玻璃基板的氧化物缓冲层(Buffer OxideLayer)上制作有源层(Active)图案,方法是在形成氧化物缓冲层(Buffer Oxide Layer)后形成非晶娃(a-Si)薄膜,之后再蒸镀Capping Layer,然后蒸镀Ni并进行预处理,再形成多晶娃薄膜，直到形成Active图案。步骤2(Layer2):如图1b所示,在蒸镀栅极绝缘层(Gate Insulator)和栅极金属层(Gate Metal)后，同时进行蚀刻,Gate Metal施行湿法蚀刻(Wet Etching),之后对GateInsulator进行干法蚀刻(Dry Etching),形成Gate层图案。步骤3(Layer3):如图1c所示,在步骤2形成Gate层后，涂布绝缘的ILD (InterLayer Dielectric)膜,之后通过VIAl工艺，留出接触孔11。步骤4 (Layer4):如图1d所示，蒸镀METAL层，通过步骤3留下的接触孔11与ACT及Gate层连接，完成像素电路与外部电源和数据线的连接，并在像素内部将开关管的漏极与驱动管的栅极相连同时形成像素电路的存储电容。步骤5(Layer5):如图1e所示，为了更好保护底层的TFT和金属线，在步骤4后将形成钝化层(Passivation Layer),然后在Passivation Layer上打孔作为驱动管得漏极D与OLED正极的连接孔12。步骤6(Layer6):如图1f所示，完成OLED透明阳极(IZO) 13的制作，并通过步骤5留下的接触孔与驱动管漏极D相连。步骤7(Layer7):如图1g所示，采用绝缘树脂涂布面板，然后刻蚀仅留出OLED部分14进行后续的有机材料蒸镀。从像素电路结构及其版图设计可以看出，数据线Vdata和电源线Vdd在同一平面内，均在子像素的长边方向，不利于像素开口率的提高。并且，为降低电源线Vdd的IR-DROP(电阻压降)一般需要将电源线Vdd设计得比数据线Vdata的扫描线Vscan宽得多，更是进一步影响了像素开口率。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是:提供一种AMOLED面板像素电路的版图及其制作方法，以提高像素开口率，改善面板性能。为解决上述技术问题所采用的技术方案是:一种AMOLED面板像素电路的版图，包括RGB条状子像素、开关晶体管Tl、驱动晶体管T2、扫描线Vscan、数据线Vdata、电源线Vdd、存储电容Cs和有机发光二极管OLED ；其特征在于，所述扫描线Vscan在像素电路版图中沿条状子像素长边方向分布，数据线Vdata和电源线Vdd在像素电路版图中沿条状子像素短边方向分布，有机发光二极管OLED的有机材料蒸镀区域沿条状子像素短边方向加宽，长边方向不变。上述开关晶体管为“匚”形结构。一种上述AMOLED面板像素电路的版图制作方法，其特征在于包括以下步骤:步骤1:在玻璃基板的氧化物缓冲层上制作有源层图案，具体方法是在形成氧化物缓冲层后形成非晶硅薄膜，之后再蒸镀Capping Layer，然后蒸镀Ni并进行预处理，再形成多晶硅薄膜，直到形成有源层图案；其中，有源层图案中的开关晶体管T21图案为“匚”形；步骤2:在蒸镀栅极绝缘层和栅极金属层后，对栅极金属层施行湿法蚀刻，之后对栅极绝缘层进行干法蚀刻，形成栅极层图案，在本步骤中形成了沿条状子像素长边方向分布的扫描线；步骤3:在步骤2形成栅极层后，涂布绝缘的ILD膜，之后通过VIAl工艺，留出接触孔；步骤4:蒸镀METAL层，通过步骤3留下的接触孔与ACT及Gate层连接，完成像素驱动电路与外部电源和数据线的连接，并在像素内部将开关管的漏极与驱动管的栅极相连同时形成像素驱动电路的存储电容，在本步骤中形成了沿条状子像素短边方向分布的数据线和电源线；步骤5:为了更好保护底层的TFT和金属线，在步骤4后将形成钝化层，然后在Passivation Layer上打孔作为驱动管得漏极D与OLED正极的连接孔；步骤6:完成OLED透明阳极(IZO)的制作，并通过步骤5留下的接触孔与驱动管漏极D相连；步骤7:采用绝缘树脂涂布面板，然后刻蚀仅留出OLED部分进行后续的有机材料蒸镀，在本步骤中，有机材料蒸镀区沿条状子像素短边方向扩展并占据了原本沿条状子像素长边方向分布的电源线占据的像素空间，使有机材料蒸镀区的沿条状子像素长边方向边沿延伸至沿条状子像素长边方向分布的扫描线Vscan和所在子像素的边沿。本专利技术的有益之处在于增大了子像素的有机发光材料蒸镀面积，提高了面板开口率。在现有设计、工艺、设备条件下，假设VDD Line为14um、Data Line和Gate Line均为7um，设计规则是4 μ m，TFT的宽长比为7um/19um。从单个条状子像素来分析，列本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种AMOLED面板像素电路的版图，包括RGB条状子像素、开关晶体管、驱动晶体管、扫描线、数据线、电源线、存储电容和有机发光二极管；其特征在于，所述扫描线在像素电路版图中沿条状子像素长边方向分布，数据线和电源线在像素电路版图中沿条状子像素短边方向分布，有机发光二极管OLED的有机材料蒸镀区域沿条状子像素短边方向加宽，长边方向不变。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郎丰伟，周刚，柴智，
申请(专利权)人：四川虹视显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：