阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种阵列基板，包括多个位于基板上的像素单元，像素单元包括：形成在基板上的薄膜晶体管结构；以及由薄膜晶体管结构驱动的有机发光二极管，有机发光二极管位于像素单元的像素区域，有机发光二极管在远离基板的方向上依次包括透明的第一电极、发光层、反射光线的第二电极；半反半透层，位于有机发光二极管与薄膜晶体管结构之间；彩膜，位于有机发光二极管的第二电极与半反半透层之间；有机发光二极管的第二电极与半反半透层形成微腔结构。还公开了包括上述阵列基板的显示装置。本实用新型专利技术在阵列基板上实现了结构，制作工艺简单的微腔结构。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板及显示装置。
技术介绍
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diodes,0LED)以其制备工艺简单、成本低、发光颜色可在可见光区内任意调节以及易于大面积和柔性弯曲等优点，被认为是未来最重要的显示技术之一。尤其是白光OLED (WOLED)的功率效率已经超过了 601m/W，寿命达到了 2万个小时以上，极大地推动了 WOLED的发展。如图1中(a)所示，其中一种WOLED采用红绿蓝三基色掺杂成有机发光层102，使得有机发光层102发出白光,有机发光层102位于阴极101和阳极103之间，发光层发出的白光通过阴极101反射后从阳极103的一侧出射。为了提高光的透过率，增大WOLED显示装置的亮度，在阳极的一侧，且对应彩膜上每一种颜色滤光片的区域各设有半反半透层103 ',从而形成微腔结构(microcavity structure),如图1中(b)所示,微腔结构是指在一反射层和一半反半透层间形成的厚度为微米量级的结构，其加强光的强度的原理为:光线会在层中不断反射，由于谐振作用，故最终从半反半透层射出的光线中特定波长的光会得到加强，而该得到加强的波长与微腔厚度有关。在白光有机发光二极管显示装置中，不同像素单元是用于发出不同颜色的光的，因此不同像素单元中的微腔应能使不同波长的光(与微腔外对应的彩膜颜色相同的光)获得增强，即不同像素单元中的微腔厚度不同。如图2和3所示为现有的两种WOLED阵列基板的层次结构示意图，彩膜位于微腔结构的外部，由上述原理可知彩膜上每种颜色对应的微腔结构厚度不一样，如图2中的300和图3中的400。由于各色光的波长不一样，其对应的微腔结构也不尽相同，厚度的也不同。例如图3中，Cathode为有机发光二极管的阴极，Anode为阳极，两者之间为发白光的有机发光层(通常采用RGB三原色的有机材料混合而成)。R、G、B及W分别代表红光、绿光、蓝光及白光的出光区域，Red CF.Green CF和Blue CF分别为彩膜上红色、绿色及蓝色的滤光片。各色光的微腔结构都包括位于OC层(保护层)上方的IZO或ITO层,对于R、G、B,还包括SiNx及SiOx (硅的氮化物及硅的氧化物)层，对于R和B还包括除了阳极以外的IZO/ITO层，WOLED发出的白光透过上述各层后，对应色光的透过率会增大。如图4所示，点线对应无微腔结构时的透过率(即亮度)，实线对应有微腔结构的透过率，对于蓝光透过率大约为原来的1.6倍，对于绿光透过率大约为原来的2.5倍，对于红光透过率大约为原来的2.2倍。由图2和图3可看出，虽然现有的微腔结构增大了光的透过率，但现有的微腔结构层次结构比较复杂，而且每个颜色的滤光片对应的区域制作不同厚度的微腔结构，制作工艺较复杂。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本技术要解决的技术问题是:如何实现制作工艺简单的微腔结构，从而增大WOLED显示装置的透过率。(二)技术方案为解决上述技术问题，本技术提供了一种阵列基板，包括多个位于基板上的像素单元，所述像素单元包括:形成在基板上的薄膜晶体管结构；以及由所述薄膜晶体管结构驱动的有机发光二极管，所述有机发光二极管位于所述像素单元的像素区域，所述有机发光二极管在远离基板的方向上依次包括透明的第一电极、发光层、反射光线的第二电极；半反半透层，位于所述有机发光二极管与所述薄膜晶体管结构之间；彩膜，位于所述有机发光二极管的第二电极与所述半反半透层之间，且彩膜的不同颜色滤光片的厚度不同；所述有机发光二极管的第二电极与所述半反半透层形成微腔结构。其中，所述薄膜晶体管结构包括:形成在基板上的第一栅极、第二栅极，形成在所述第一栅极和第二栅极之上的栅绝缘层，形成在所述栅绝缘层之上的第一有源层和第二有源层，形成在第一有源层之上的第一源极和第一漏极，形成在第二有源层之上的第二源极和第二漏极，所述第一漏极连接所述第二栅极，所述第一栅极、栅绝缘层、第一有源层、第一源极及第一漏极形成开关薄膜晶体管，所述第二栅极、栅绝缘层、第二有源层、第二源极及第二漏极形成驱动薄膜晶体管；所述驱动薄膜晶体管的第二漏极与所述有机发光二极管的第一电极电连接。其中，所述薄膜晶体管结构之上还形成有钝化层；所述有机发光二极管形成在所述钝化层的上方，所述有机发光二极管的第二电极为阴极，第一电极为阳极，且所述阳极通过所述钝化层的过孔连接第二漏极，所述半反半透层形成在所述薄膜晶体管结构和钝化层之间，且位于所述像素单元的像素区域及所述薄膜晶体管结构的源漏区域，所述彩膜形成在所述钝化层之上，且位于所述像素单元的像素区域，所述发光二极管的阳极位于所述彩膜上方。其中，所述薄膜晶体管结构之上还形成有钝化层；所述有机发光二极管形成在所述钝化层的上方，所述有机发光二极管的第一电极为阴极，第二电极为阳极，且所述阴极通过所述钝化层的过孔连接第二漏极，所述半反半透层形成在所述薄膜晶体管结构和钝化层之间，且位于所述像素单元的像素区域及所述薄膜晶体管结构的源漏区域，所述彩膜形成在所述钝化层之上，且位于所述像素单元的像素区域，所述发光二极管的阴极位于所述彩膜上方。其中，所述彩膜和所述第一电极之间还设有树脂层，所述第一电极通过贯穿树脂层及钝化层的过孔连接所述第二漏极。其中，对应像素单元的薄膜晶体管结构的源漏区域的半反半透层，分别位于所述第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极的下方，且所述半反半透层的图形与所述第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极的图形一致。其中，在所述像素单元的所述薄膜晶体管结构对应区域，且位于所述第一电极之上还形成有像素定义层。其中，所述半反半透层由银、铝、钥、铜、钛、铬中的任意一种金属或它们中任意两种或以上的合金构成，且透过率为5°/Γ95%。其中，所述半反半透层厚度为:10人 200Α,其中，所述彩膜的厚度为:1000 A 40000Α其中，所述彩膜包括:红绿蓝、红绿蓝黄或红绿蓝白模式的彩膜。本技术还提供了一种显示装置，包括上述任一项所述的阵列基板。(三)有益效果本技术通过在半反半透层与有机发光二极管的反射电极(阴极或阳极)之间形成微腔结构，彩膜位于该微腔结构内部，不但增大了光的透过率，而且对于每个像素单元，由于不同颜色的像素单元的彩膜本就要在不同步骤中形成，因此它们的厚度可很容易的被分别控制，故本技术的阵列基板制备工艺简单，成本低。附图说明图1中(a)是现有的无微腔结构的有机发光二极管示意图，(b)是现有的微腔结构原理示意图；图2是现有的一种带有微腔结构的WOLED阵列基板结构示意图；图3是现有的另一种带有微腔结构的WOLED阵列基板结构示意图；图4是微腔结构对透过率的提升曲线示意图5是本技术实施例的一种阵列基板结构示意图；图6是制作图5的阵列基板的方法流程中在基板上形成薄膜晶体管结构及半反半透层的示意图；图7是在图6的基板基础上形成钝化层图形的示意图；图8是在图7的基板基础上形成彩膜图形的结构示意图；图9在图8的基板基础上形成树脂层图形的结构不意图；图10在图9的基板基础上形成阳极的结构示意图；图11在图10的基板基础上形成像素定义层图形的结构示意图。具体实施方式以下结合附图和实施例，对本技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括多个位于基板上的像素单元，所述像素单元包括：形成在基板上的薄膜晶体管结构；以及由所述薄膜晶体管结构驱动的有机发光二极管，所述有机发光二极管位于所述像素单元的像素区域，所述有机发光二极管在远离基板的方向上依次包括透明的第一电极、发光层、反射光线的第二电极；半反半透层，位于所述有机发光二极管与所述薄膜晶体管结构之间；彩膜，位于所述有机发光二极管的第二电极与所述半反半透层之间，且彩膜的不同颜色滤光片的厚度不同；所述有机发光二极管的第二电极与所述半反半透层形成微腔结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：宋泳锡，刘圣烈，崔承镇，金熙哲，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：