有机发光显示设备及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种有机发光显示设备及其制造方法。该有机发光显示设备包括：TFT，包括有源层、栅电极、源电极和漏电极、布置在有源层与栅电极之间的第一绝缘层，和布置在源电极与漏电极之间的第二绝缘层；像素电极，布置在第一绝缘层和第二绝缘层上，并且连接至源电极和漏电极之一；电容器，包括位于与有源层相同层上的第一电极、位于与栅电极相同层上的第二电极，和由与像素电极相同的材料形成的第三电极；第三绝缘层，布置在第二绝缘层与像素电极之间以及第二电极与第三电极之间；第四绝缘层，覆盖源电极、漏电极和第三电极，并且暴露像素电极的一部分；位于像素电极上的有机发光层；以及位于有机发光层上的对电极。

【技术实现步骤摘要】

本公开内容涉及。
技术介绍
诸如有机发光显示设备或液晶显示(LCD)设备之类的平板显示设备一般包括薄膜晶体管(TFT)、电容器以及用于连接TFT和电容器的布线。TFT、电容器和布线被精细地图案化在平板显示设备的基板上。为了在基板上形成这种精细的图案，经常使用光刻术来通过使用掩膜转移图案。光刻术涉及向待形成图案的基板均匀地施加光刻胶、通过使用诸如步进机之类的曝光设备对光刻胶进行曝光、如果光刻胶为正光刻胶则对光刻胶进行显影、通过使用光刻胶的剩余部分对形成在基板上的图案进行蚀刻，以及在形成图案之后去除光刻胶的不必要的剩余部分。由于在使用光刻术时需要首先制备包括期望图案的掩膜，因此制备掩膜的成本增加了制造平板显示设备的成本。由于必须执行上述复杂的步骤，因此平板显示设备的制造工艺变得复杂且制造时间增加，因此平板显示设备的总制造成本增加。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种，该有机发光显示设备通过使用简单的制造工艺制造，并且具有高静电电容和高光使用效率。根据一个方面，提供一种有机发光显示设备，包括:薄膜晶体管(TFT)，包括有源层、栅电极、源电极、漏电极、布置在所述有源层与所述栅电极之间的第一绝缘层，和布置在所述源电极与所述漏电极之间的第二绝缘层；像素电极，布置在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上，并且连接至所述源电极和所述漏电极之一；电容器，包括布置在与所述有源层相同层上的第一电极、布置在与所述栅电极相同层上的第二电极，和由与所述像素电极相同的材料形成的第三电极；第三绝缘层，布置在所述第二绝缘层与所述像素电极之间，并且进一步布置在所述第二电极与所述第三电极之间；第四绝缘层，覆盖所述源电极、所述漏电极和所述第三电极，并且暴露所述像素电极的一部分；布置在所述像素电极上的有机发光层；以及布置在所述有机发光层上的对电极。所述第二绝缘层可以不布置在所述第二电极与所述第三电极之间。 所述第三绝缘层可以具有比所述第二绝缘层的厚度小的厚度。所述第三绝缘层的厚度可以为从大约500人到大约2000 A。所述第三绝缘层可以包括从由SiNx、Si02、Zr02、Ti02、Ta205和Al2O3组成的组中选择的至少一种。所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层可以顺序布置在基板与所述像素电极之间，并且所述第一绝缘层至所述第三绝缘层中相邻绝缘层的折射率可以彼此不同。所述有源层和所述第一电极中的每一个可以包括掺有离子杂质的半导体。所述栅电极可以包括具有透明导电氧化物的第一层和具有低电阻金属的第二层，并且所述第二电极可以包括所述透明导电氧化物。所述像素电极可以包括透明导电氧化物。所述透明导电氧化物可以包括从由氧化铟锌(IZ0)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)组成的组中选择的至少一种。所述像素电极可以进一步包括半透射金属层。所述半透射金属层可以布置在包括所述透明导电氧化物的层上。所述半透射金属层可以包括从由银(Ag)、铝(Al)及其合金组成的组中选择的至少一种。所述有机发光显示设备可以进一步包括布置在所述半透射金属层上的保护层。所述保护层可以包括透明导电氧化物。所述像素电极和所述第三绝缘层可以具有相同的蚀刻表面。所述第三电极和所述第三绝缘层可以具有相同的蚀刻表面。所述源电极和所述漏电极中的连接至所述像素电极的一个可以布置在所述像素电极的一部分上方。所述有机发光显示设备可以进一步包括由与所述源电极和所述漏电极中的每一个相同的材料形成的焊盘电极。所述焊盘电极可以布置在与所述源电极和所述漏电极中的每一个相同的层上。所述对电极可以为反射由所述有机发光层发射的光的反射电极。根据另一方面，提供一种制造有机发光显示设备的方法，所述方法包括:在基板上形成半导体层，并且通过图案化所述半导体层形成TFT的有源层和电容器的第一电极；形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层上形成第一导电层，并且通过图案化所述第一导电层形成所述TFT的栅电极和所述电容器的第二电极；形成第二绝缘层，并且在所述第二绝缘层中形成开口以暴露所述有源层的源区和漏区的部分以及所述第二电极；顺序形成第三绝缘层和第二导电层，并且通过同时图案化所述第三绝缘层和所述第二导电层形成像素电极和第三电极；形成第三导电层，并且通过图案化所述第三导电层形成源电极和漏电极；以及形成第四绝缘层，去除所述第四绝缘层的一部分以暴露所述像素电极的一部分。所述方法可以包括顺序堆叠包括透明导电氧化物的第一层和包括低电阻金属的第二层。所述方法可以进一步包括利用离子杂质掺杂所述源区和所述漏区。所述方法可以包括形成所述第二导电层作为透明导电氧化物层。所述方法可以包括通过顺序堆叠透明导电氧化物层和半透射导电层形成所述第二导电层。所述方法可以进一步包括在所述半透射导电层上形成保护层。所述方法可以包括形成包括与所述源电极和所述漏电极中每一个的材料相同的材料的焊盘电极。所述方法可以进一步包括在所述像素电极上形成有机发光层和对电极。附图说明通过参照附图详细描述特定实施例，上述及其它特征和优点将变得更加明显，附图中:图1为示出有机发光显示设备的实施例的截面图；图2A至图2F为示出制造图1的有机发光显示设备的方法的实施例的截面图；以及图3为不出 有机发光显不设备的另一实施例的截面图。具体实施例方式如这里所使用的那样，术语“和/或”包括一个或多个相关列出项的任意组合和全部组合。诸如“…中的至少一个”之类的表达在限定一列元素时修饰整列元素，而不修饰该列中的单个元素。现在将参照附图更充分地描述本专利技术，附图中示出本专利技术的特定实施例。图1为示出有机发光显示设备I的实施例的截面图。参见图1，有机发光显示设备I的基板10包括像素区PXL1、晶体管区TR1、电容器区CAPl和焊盘区PADl。在晶体管区TRl中，薄膜晶体管(TFT)的有源层212布置在基板10上。基板10可以是透明基板，例如玻璃基板或包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚酰亚胺的塑料基板。有源层212布置在基板10上。有源层212可以由包括非晶硅或晶体硅的半导体形成。有源层212可以包括布置在沟道区212c外部且掺有离子杂质的源区212a和漏区212b。尽管图1中未示出，但用于平坦化基板10且防止杂质元素渗入基板10中的缓冲层(未示出)可以进一步布置在基板10与有源层212之间。缓冲层可以具有单层结构或由氮化硅和/或氧化硅形成的多层结构。包括第一层214和第二层215的栅电极布置在有源层212上方与有源层212的沟道区212c相对应的位置处，其中作为栅绝缘膜的第一绝缘层13布置在有源层212和栅电极之间。栅电极的第一层214包括透明导电氧化物，并且栅电极的第二层215包括低电阻金属。第一层214可以包括氧化铟锡(IT0)、氧化铟锌(IZ0)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(ln203)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中的至少一个。第二层215可以具有单层结构或由从以下各项组成的组中选择的至少一种金属形成的多层结构:铝(Al)、钼(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钥(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)。源电极21本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光显示设备，包括：薄膜晶体管，包括：有源层，栅电极，源电极，漏电极，布置在所述有源层与所述栅电极之间的第一绝缘层，和布置在所述源电极与所述漏电极之间的第二绝缘层；像素电极，布置在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上，并且连接至所述源电极和所述漏电极之一；电容器，包括：布置在与所述有源层相同层上的第一电极，布置在与所述栅电极相同层上的第二电极，和由与所述像素电极相同的材料形成的第三电极；第三绝缘层，布置在所述第二绝缘层与所述像素电极之间，并且进一步布置在所述第二电极与所述第三电极之间；第四绝缘层，覆盖所述源电极、所述漏电极和所述第三电极，并且暴露所述像素电极的一部分；布置在所述像素电极上的有机发光层；以及布置在所述有机发光层上的对电极。

【技术特征摘要】
2011.11.10 KR 10-2011-01171671.一种有机发光显不设备，包括: 薄膜晶体管，包括: 有源层， 栅电极， 源电极， 漏电极， 布置在所述有源层与所述栅电极之间的第一绝缘层，和 布置在所述源电极与所述漏电极之间的第二绝缘层； 像素电极，布置在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上，并且连接至所述源电极和所述漏电极之一； 电容器，包括: 布置在与所述有源层相同层上的第一电极， 布置在与所述栅电极相同层上的第二电极，和 由与所述像素电极相同的材料形成的第三电极； 第三绝缘层，布置在所述第二绝缘层与所述像素电极之间，并且进一步布置在所述第二电极与所述第三电极之间； 第四绝缘层，覆盖所述源电极、所述漏电极和所述第三电极，并且暴露所述像素电极的一部分； 布置在所述像素电极上的有机发光层；以及 布置在所述有机发光层上的对电极。2.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述第二绝缘层不布置在所述第二电极与所述第三电极之间。3.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述第三绝缘层具有比所述第二绝缘层的厚度小的厚度。4.根据权利要求3所述的有机发光显示设备，其中所述第三绝缘层的厚度为从500A到2000 A.,5.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述第三绝缘层包括从由SiNx、SiO2, ZrO2, Ti02、Ta2O5和Al2O3组成的组中选择的至少一种。6.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层顺序布置在基板与所述像素电极之间，并且所述第一绝缘层至所述第三绝缘层中相邻绝缘层的折射率彼此不同。7.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述有源层和所述第一电极中的每一个包括掺有离子杂质的半导体。8.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述栅电极包括具有透明导电氧化物的第一层和具有低电阻金属的第二层，并且其中所述第二电极包括所述透明导电氧化物。9.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述像素电极包括透明导电氧化物。10.根据权利要求9所述的有机发光显示设备， 其中所述透明导电氧化物包括从由氧化铟锌、氧化锌、氧化铟、氧化铟镓和氧化铝锌组成的组中选择的至少一种。11.根据权利要求9所述的有机发光显示设备，其中所述像素电极进一步包括半透射金属层。12.根据权利要求11所述的有机发光显示设备，其中所述半透射金属层布置在包括所述透明导电氧化物的层上。13.根据权利要求11所述的有机发光显示设备，其中所述半透射金属层包括从由银、铝及其合金组成的组中选择的至少一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：李俊雨，崔宰凡，郑宽旭，陈圣铉，金广海，金佳英，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR