本发明专利技术提供了用于模拟数据中心的元件的非标准操作的计算机实现方法和数据中心管理装置。所述方法包括如下行为：确定受数据中心元件影响的一个数据中心源、基于该数据中心源和该数据中心元件从多个模拟器中选择模拟器以及利用该模拟器生成该数据中心元件的非标准操作的影响分析。该数据中心管理装置包括网络接口、存储器以及耦合到该网络接口和该存储器的控制器。该控制器被配置来确定受数据中心元件影响的数据中心源、基于该该数据中心源和该数据中心元件从多个模拟器中选择模拟器并利用该第一模拟器生成该数据中心元件的非标准操作的影响分析。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体上涉及衬底的等离子体处理，尤其是涉及用于利用小型等离子体处理室等离子体处理衬底表面的一部分的方法和系统。
技术介绍
图I是典型等离子体处理室100。该典型等离子体处理室100包住待处理的整个衬底102。衬底102被加载到处理室100中。然后处理室100被密封并被净化以通过出口112排出不希望的气体。泵114可帮助排出不希望的气体。净化气体或处理气体可从与输入口 122耦合的处理和/或净化气体源120被泵入处理室100中。净化气体或处理气体可被泵出处理室100以稀释或以其他方式移除不希望的气体。 通常通过静电卡盘104形成到衬底102的电气连接。通常通过静电卡盘104使等离子体信号源108B被耦合到衬底102。等离子体信号源108A被耦合到该处理室中的发射器 106。接着，处于期望的压力和流速的期望气体被输入到处理室100。通过在期望的频率和电势时输出来自信号源108的处理信号(例如，RF)并将所发射的能量传递给处理室100中的气体，形成等离子体110。通过所述等离子体直接撞击衬底102的整个表面，产生离子IlOA0等离子体110还产生热，其至少部分被衬底102所吸收。静电卡盘104还可冷却衬底 102。典型等离子体处理室100比待处理的衬底100大，使得整个衬底可在处理室内同时被处理。随着典型等离子体处理室100的尺寸增大，净化处理室100所需的净化气体的数量以及时间增加。因此，处理室100愈大，在衬底102被处理之前和之后的净化时间愈长。典型处理室100的处理能力大体上由衬底加载时间、预处理净化时间、衬底处理时间、后处理净化时间和卸载时间的总和确定。因此，随着衬底102的尺寸增大,更大处理室100的增加了的净化时间会降低所述处理能力。衬底102的整个表面在同一时间在典型处理室100中被处理(例如，暴露于等离子体110)。等离子体110必须足够大以在同一时间大体上均匀地暴露衬底102的整个表面。随着衬底102的尺寸增大，产生等离子体110所需的能量的数量近似地随所述衬底的表面的面积的平方而增加。因此，更大的衬底102的能量需求增加且所述处理能力降低。鉴于以上，需要适用于更大衬底却无需牺牲处理能力的改善的等离子体处理系统和方法。
技术实现思路
概括而言，本专利技术通过提供适用于更大衬底却无需牺牲处理能力的改善的等离子体处理系统和方法满足了这些需要。应当明白的是，本专利技术可以多种方式实施，包括作为工序、装置、系统、计算机可读介质、或设备。通过下面的详细描述，结合附图，以示例的方式说明本专利技术的原理，本专利技术的其他方面和优点会变得显而易见。一种实施方式提供等离子体蚀刻处理工具，其包括用于支撑具有衬底表面面积的衬底的衬底支撑件、包括具有朝向衬底支撑件上方的开口侧的等离子体微型腔室(microchambe r)的处理头(所述等离子体微型腔室的所述开口侧具有小于所述衬底表面面积的处理面积)、被限定于所述衬底支撑件和所述处理头之间的密封结构以及被连接到所述等离子体微型腔室和所述衬底支撑件的电源。所述电源可具有与所述等离子体微型腔室中的容积成比例的整定(setting)。所述电源可包括耦合到所述等离子体微型腔室的第一电源和耦合到所述衬底支撑件的第二电源。所述衬底支撑件可以是卡盘。所述卡盘可具有小于或等于所述衬底的面积的夹持面积。所述等离子体微型腔室相对于所述衬底是可移动的。只有一部分所述衬底支撑件可被偏置且其中所述衬底支撑件的偏置部分大体上与所述等离子体微型腔室对齐。所述衬底支撑件的所述偏置部分可以是可移动的用以与可移动的所述等离子体微型腔室保持大体上的对齐。所述等离子体微型腔室可具有微型腔室容积且其中所述微型腔室容积包含等离子体。所述等离子体蚀刻处理工具还可包括耦合到所述等离子体微型腔室的处理材料源以及耦合到所述等离子体微型腔室的真空源。所述真空源可具有可调式真空源。所述等离子体蚀刻处理工具还可包括密封结构。所述密封结构可包括密封环。所述密封结构可包括围绕所述微型腔室的外室。所述等离子体微型腔室相对于所述衬底可以是可移动的且还可包括连接到所述衬底支撑件的致动器。所述致动器可被配置来移动所述衬底支撑件以便在位于所述衬底支撑件上方时暴露衬底表面的选定区域。所述致动器可被配置为在转动方向、成角度的方向、线性方向、非线性方向或绕轴旋转方向中的一或多者上移动。所述等离子体微型腔室相对于所述衬底可以是可移动的且可将致动器连接到所述等离子体微型腔室，所述致动器可被配置来移动所述等离子体微型腔室以便在位于所述衬底支撑件上方时暴露衬底表面的选定区域。所述致动器可被配置为在转动方向、成角度的方向、线性方向、非线性方向或绕轴旋转方向中的一或多者上移动。所述衬底支撑件可被配置来转动所述衬底。所述衬底支撑件可包括边缘环。所述边缘环的至少一部分可被偏置。所述边缘环的至少一部分可以是可替换的。所述边缘环的至少一部分可与所述等离子体微型腔室中的等离子体反应。当呈现在所述衬底支撑件上时，所述边缘环可邻近衬底的边缘的至少一部分。当呈现在所述衬底支撑件上时，所述边缘环可邻近衬底的边缘的曲线部分。所述微型腔室可包括多个进口端和多个出口端。所述进口端中的至少一个被耦合到多个处理材料源中的一个。所述进口端中的至少一个可被耦合到净化材料源。所述出口端中的至少一个可被耦合到真空源。所述等离子体蚀刻处理工具还可包括至少一个监控仪器。所述监控仪器可监控来自所述等离子体微型腔室的副产品输出。所述监控仪器可监控从所述等离子体微型腔室发出的光的光谱。所述监控仪器可被耦合到控制器。所述监控仪器可监控所述衬底的所述表面。所述等离子体微型腔室的内部容积可具有沿着所述等离子体微型腔室的长度恒定的宽度。所述等离子体微型腔室的内部容积可具有沿着所述等离子体微型腔室的长度变化的宽度。所述等离子体微型腔室的内部容积可具有沿着所述等离子体微型腔室的长度恒定的深度。所述等离子体微型腔室的内部容积可具有沿着所述等离子体微型腔室的长度变化的深度。所述等离子体微型腔室的内部容积可具有沿着所述等离子体微型腔室的长度可调的深度。所述等离子体蚀刻处理工具可包括多个等离子体微型腔室。所述多个等离子体微型腔室可线性排布(arrangement)。所述多个等离子体微型腔室可旋转式排布。另一实施方式提供执行等离子体蚀刻的方法，其包括在等离子体微型腔室中形成等离子体。所述微型腔室包括用于支撑具有衬底表面面积的衬底的衬底支撑件、包括具有朝向衬底支撑件上方的开口侧的等离子体微型腔室的处理头(所述等离子体微型腔室的所述开口侧具有小于所述衬底表面面积的处理面积)、被限定于所述衬底支撑件和所述处理 头之间的密封结构以及被连接到所述等离子体微型腔室和所述衬底支撑件的电源。当呈现在所述衬底支撑件中时，所述等离子体微型腔室相对于所述衬底的表面被移动，直至所述衬底的多个表面中的选定的一个被暴露于所述等离子体。所述方法还可包括将多种等离子体副产品引出所述等离子体微型腔室。所述等离子体副产品在所述等离子体微型腔室的顶部附近被引出所述等离子体微型腔室。通过下面的详细描述，结合附图，以示例的方式说明本专利技术的原理，本专利技术的其他方面和优点会变得显而易见。附图说明通过下面的详细描述，结合附图，可以很容易地理解本专利技术。图I是典型等离子本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：理查德·戈特朔，拉金德尔·德辛德萨，穆昆德·斯里尼瓦桑，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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