一种双多晶的应变Si BiCMOS集成器件及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种双多晶的应变Si?BiCMOS集成器件及制备方法，在SOI衬底上生长N型Si外延层作为双极器件集电区，制备深槽隔离，然后依次制备基极多晶、基区、发射区，形成HBT器件；光刻NMOS和PMOS器件有源区沟槽，在NMOS和PMOS器件有源区沟槽中分别连续生长Si缓冲层、渐变SiGe层、固定组分SiGe层、N型应变Si沟道层和Si缓冲层、渐变SiGe层、固定组分SiGe层、应变Si?P-LDD层、应变Si沟道层、应变Si?P-LDD层、固定组分SiGe层，制备漏极和栅极，形成PMOS器件；制备NMOS器件栅介质层和栅多晶，形成NMOS器件；构成MOS导电沟道为22～45nm的应变Si?BiCMOS集成器件及电路；本发明专利技术充分利用了应变Si材料迁移率各向异性的特点，在600～800℃，制备出了性能增强的应变Si?BiCMOS集成电路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体集成电路
，尤其涉及。
技术介绍
1958年出现的集成电路是20世纪最具影响的专利技术之一。基于这项专利技术而诞生的微电子学已成为现有现代技术的基础，加速改变着人类社会的知识化、信息化进程，同时也改变了人类的思维方式。它不仅为人类提供了强有力的改造自然的工具，而且还开拓了一个广阔的发展空间。半导体集成电路已成为电子工业的基础，人们对电子工业的巨大需求，促使该领 域的发展十分迅速。在过去的几十年中，电子工业的迅猛发展对社会发展及国民经济产生了巨大的影响。目前，电子工业已成为世界上规模最大的工业，在全球市场中占据着很大的份额，产值已经超过了 10000亿美元。硅材料作为半导体材料应用经历了 50多年，传统的Si CMOS和BiCMOS技术以其低功耗、低噪声、高输入阻抗、高集成度、可靠性好等优点在集成电路领域占据着主导地位，并按照摩尔定律不断的向前发展。目前，全球90%的半导体市场中，都是Si基集成电路。但是随着器件特征尺寸减小、集成度和复杂性的增强，出现了一系列涉及材料、器件物理、器件结构和工艺技术等方面的新问题。特别是当IC芯片特征尺寸进入纳米尺度，从器件角本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双多晶的应变Si？BiCMOS集成器件，其特征在于，NMOS器件为应变Si平面沟道，PMOS器件为应变Si垂直沟道，双极器件基区为SiGe材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张鹤鸣，王海栋，胡辉勇，宋建军，周春宇，宣荣喜，舒斌，郝跃，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：