一种SiGe HBT器件应变Si BiCMOS集成器件及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种SiGe?HBT器件应变Si?BiCMOS集成器件及制备方法。其过程为：在Si衬底上生长N-Si作为双极器件集电区，光刻基区区域，在基区区域生长P-SiGe、i-Si、i-Poly-Si，制备深槽隔离，形成发射极、基极和集电极，形成SiGe?HBT器件；分别光刻NMOS和PMOS器件有源区沟槽，分别在NMOS和PMOS器件有源区沟槽在生长NMOS和PMOS器件有源层，制备NMOS和PMOS器件的源漏极和栅极，形成NMOS和PMOS器件，合金、光刻引线，构成SiGe?HBT器件、应变Si?BiCMOS集成器件及电路；本发明专利技术充分利用了张应变Si材料迁移率各向异性的特点，在600～800℃，制备出了性能增强的SiGe?HBT器件、应变Si?BiCMOS集成电路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体集成电路
，尤其涉及一种SiGe HBT器件应变SiBiCMOS集成器件及制备方法。
技术介绍
集成电路是信息社会经济发展的基石和核心。正如美国工程技术界最近评出20世纪世界20项最伟大工程技术成就中第五项电子技术时提到，“从真空管到半导体、集成电路，已成为当代各行业智能工作的基石。”集成电路时最能体现知识经济特征的典型产品之一。目前，以集成电路为基础的电子信息产业已成为世界第一大产业。随着集成电路技术的发展，整机和元件之间的明确界限被突破，集成电路不仅成为现代产业和科学技术的基础，而且正创造着信息时代的硅文化。由于Si材料的优良特性，特别是能方便地形成极其有用的绝缘膜——SiO2膜和Si3N4膜，从而能够利用Si材料实现最廉价的集成电路工艺，发展至今，全世界数以万亿美元的设备和技术投入，已使Si基工艺形成了非常强大的产业能力。同时，长期的科研投入也使人们对Si及其工艺的了解，达到十分深入、透彻的地步，因此在集成电路产业中，Si技术是主流技术，Si集成电路产品是主流产品，占集成电路产业的90%以上。在Si集成电路中以双极晶体管作为基本结构单元的模拟集成电路本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种SiGe？HBT器件应变Si？BiCMOS集成器件，其特征在于，所述应变Si？BiCMOS器件采用双多晶SiGe？HBT器件，应变Si平面沟道NMOS器件和应变Si垂直沟道PMOS器件。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡辉勇，宋建军，张鹤鸣，舒斌，李妤晨，吕懿，宣荣喜，郝跃，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：