使用组合化学品原位清洗半导体制造装置的方法和系统制造方法及图纸

提供一种用于原位清洗半导体制造装置（１０）的两步骤或者其组合的方法和系统。本发明专利技术在各步骤中利用两分开的含氟化学品，该步骤选择性针对去除不同类型的堆积于装置表面的淀积物。更具体地，粉末状和致密膜状固体淀积物，以及两者的组合，在室（１２）表面和相关装置元件上堆积。这两种类型的淀积物通过本发明专利技术被选择性地去除掉。这种组合清洗步骤的选择性，得到了改善的清洗技术。在另一实施方案中，通过在分开的步骤中使用不同的化学品，并按不同所需序列进行实施该步骤，本发明专利技术的方法和系统提供了进行清洗室（１２）和相关装置的方法。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及清洗半导体装置；并且更具体地，涉及使用两步骤、化学品的组合原位清洗半导体制造装置的方法和系统，该半导体制造装置诸如氧化硅淀积室。
技术介绍
半导体制造装置广泛应用于制造衬底或基片上的电子装置和集成电路。在制造过程中使用许多不同类型的半导体装置，例如，用于退火、氧化、氮化等的热处理室，和用于淀积薄膜的化学气相淀积(CVD)室。更具体地，掺杂和未掺杂氧化硅(SiOx)薄膜的淀积被广泛应用于电子装置中，该氧化硅也被称为硅玻璃(SG)，用于淀积这些膜的室经常采用热致的化学反应。室和诸如注射器等的相关装置元件经常被淀积过程的固体硅酸酯副产品污染，该CVD室用于淀积未掺杂的SiOx膜(USG)和用硼(B)和磷(P)掺杂的SiOx膜，该掺杂SiOx膜诸如BySiOx(BSG)、PzSiOx(PSG)和ByPzSiOx(BPSG)。如果有太多的固体副产品在室的内表面上堆积，这些副产品会从室表面上剥落或者碎裂，并且会通过有害的固体微粒污染衬底或基片。这些剥落的副产品淀积物经常落在正在进行处理的基片上，导致集成电路的微粒污染。为避免这种微粒污染，室内部和相关的装置元件必须被定期清洗。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种清洗半导体制造装置中的淀积物的方法，其中，该半导体制造装置中具有包含粉末状和致密膜状淀积物的不同类型的淀积物，其特征在于，装置使用两分开步骤进行清洗，各所述步骤使用不同含氟化学品以选择性地清洗不同的淀积物。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：BE梅耶，RH查塔姆三世，NK英格尔，Z袁，
申请(专利权)人：ASML美国公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]