【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体制造设备，具体地说，涉及一种半导体设备的气体 分配盘。
技术介绍
进行干法蚀刻制程的半导体设备的反应室通常需要设置气体分配盘，蚀刻 气体通过气体分配盘后可均匀地到达晶圆表面，与晶圓表面进行反应，蚀刻出需要的电路图形。图i是现有气体分配盘r的示意图，该气体分配盘r具有九个安装孔，其中周围八个安装孔安装有具有通气孔的气体注射管2'、 3',中 心位置的安装孔安装有实体密封件4'。采用现有的气体分配盘结构，以90纳米晶圓后段钝化层蚀刻制程为例。在 蚀刻过程中，会产生大量的微粒物质及悬浮聚合体，部分聚合体沉积在气体分 配盘的气体注射管和密封件上。但是所述密封件由于本身材料特性很难与上述 杂质结合紧密，部分沉积在密封件上聚合物很容易脱落下来，污染晶圓表面， 造成晶圓的表面缺陷。另外，采用现有的气体分配盘，蚀刻速率的不均匀度也 较高，大致在6-7%,这样影响了蚀刻图形的一致性。有鉴于此，需要提供一种新的气体分配盘。
技术实现思路
本技术解决的技术问题是提供一种可减少晶圓表面缺陷的气体分配盘。为解决上述技术问题，本技术提供一种半导体设备的气体分配盘，其 包括数个气体注射管，每一气体注射管都具有数个通气孔，其特征在于其中 一个气体注射管安装在气体分配盘的中心位置。进一步地，气体分配盘中心位置的气体注射管具有12个通气孔。进一步地，气体分配盘中心位置的气体注射管的通气孔为 一层设置。。 进一步地，气体分配盘中心位置的气体注射管朝四个方向均可以排气。。 与现有技术相比，本技术气体分配盘的中心位置将气体注射管代替了 现有的密封件，不仅可以有效避免残留聚合物污染晶圆表面...
【技术保护点】
一种半导体设备的气体分配盘，其包括数个气体注射管，每一气体注射管都具有数个通气孔，其特征在于：其中一个气体注射管安装在气体分配盘的中心位置。
【技术特征摘要】
1.一种半导体设备的气体分配盘，其包括数个气体注射管，每一气体注射管都具有数个通气孔，其特征在于其中一个气体注射管安装在气体分配盘的中心位置。2. 如权利要求1所述的气体分配盘，其特征在于气体分配盘中心位置的气体 注射管具有12个通气孔。3. 如权利要求1所述的气体分配盘，其特征在于气体分配盘中心位置的气体 注射管的通气孔为一层设置。4. 如权利要求1所述的气体分配盘，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：肖建民，朱立顶，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]
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