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提供一种用于原位清洗半导体制造装置（１０）的两步骤或者其组合的方法和系统。本发明在各步骤中利用两分开的含氟化学品，该步骤选择性针对去除不同类型的堆积于装置表面的淀积物。更具体地，粉末状和致密膜状固体淀积物，以及两者的组合，在室（１２）表面和...
该专利属于ASML美国公司所有，仅供学习研究参考，未经过ASML美国公司授权不得商用。

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