大功率陶瓷LED无线封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种大功率陶瓷LED无线封装结构。解决现有技术中LED灯采用焊线工艺，增加了工艺成本和材料成本，以及由于焊线电极在发光芯片上方，降低发光芯片出光效率的问题。LED包括基座、两块共晶电极焊盘、发光芯片，以及注塑形成在基座上的灯罩，发光芯片底部两边分别引出有正电极端和负电极端，发光芯片设置在两块共晶电极焊盘上，其中正电极端与一块共晶电极焊盘连接，负电极端与另一块共晶电极焊盘连接。本实用新型专利技术具有的优点是采用无线封装技术，减少了焊线工艺，减少了工艺流程的复杂性，提高了半成本品制作的可靠性，也节约了成本；由于没有焊线在发光芯片上方，提高了出光率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种LED灯，尤其是涉及一种减少了工艺流程复杂性、节约成本、提高出光率的大功率陶瓷LED无线封装结构。
技术介绍
传统陶瓷大功率LED是先在陶瓷固晶焊盘位置上点上固晶银胶，然后将大功率芯片绑定在其上面，银胶完全固化后把大功率LED芯片牢牢地粘贴在陶瓷焊盘上，再焊线，最后完成封装。传统大功率LED由于是通过银胶固晶，大功率LED工作时，芯片会产生大量的热，热量需要通过银胶导热到陶瓷基座的焊盘上，再由固晶焊盘将热量传到陶瓷基座上来完成散热，由于银胶导热有限，其导热系数大约在20W/MK，整体大功率LED热阻在10 —150C /W，所以整个大功率发光LED散热还是比较差，这样会因散热问题降低了大功率LED 的寿命和光效，更无法满足大电流驱动，无法与共晶焊方式相比拟，同时由于使用了银胶固晶，银胶对光有所吸收，会降低出光效率，且增加了焊线工艺，也增加了大功率LED的成本，所谓共晶焊其特点是把镀有锡金的大功率LED芯片直接固定在陶瓷焊盘上，通过高温直接把LED芯片焊在陶瓷焊盘上，大功率LED芯片工作时产生的热量直接由固晶焊盘传到陶瓷板上完成散热，整个大功率LED热阻在4-6°C /本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大功率陶瓷LED无线封装结构，包括基座、设置在基座上的两块共晶电极焊盘、设置在共晶电极焊盘上的发光芯片，以及注塑形成在基座上的灯罩，其特征在于所述发光芯片(3)底部两边分别引出有正电极端和负电极端，发光芯片设置在两块共晶电极焊盘(4)上，其中正电极端与一块共晶电极焊盘连接，负电极端与另一块共晶电极焊盘连接。2.根据权利要求I所述的大功率陶瓷LED无线封装结构，其特征是在所述发光芯片(3)的正电极端和负电极端上渡有一层锡金层(5)，所述锡金层的厚度为3um — 5um。3.根据权利要求I所述的大功率陶瓷LED无线封装结构，其特征是所述发光芯片(3)的正电极端和负电极端凸起在发光芯片底部两边上。4.根据权利要求I或2或3所述的大功率陶瓷LED无线封装结构，其特征是在所述发光芯片(3)的正电极端和...

【专利技术属性】
技术研发人员：李革胜，黎云汉，连程杰，
申请(专利权)人：浙江英特来光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：