本发明专利技术公开一种在板上直接封装LED的陶瓷基板，包括陶瓷基板、中功率正装芯片、电极、散热片，通过设计中功率正装芯片，以取代传统的大功率倒装芯片，由于中功率正装芯片耗能小，加之中功率正装芯片本身价格便宜，因此能够有效降低生产成本和使用成本；此外，由于陶瓷基板是一种反射率大于92%的氧化铝陶瓷板，靠陶瓷原有的亮面反光，相对于传统采用表面的银层反光而言，银在高压作用下易氧化发黑，反射率差，并且银材料价格高，造成生产成本居高不下，而采用氧化铝陶瓷板不存在上述弊端。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及LED领域技术，尤其是指一种在板上直接封装LED的陶瓷基板。
技术介绍
传统的陶瓷基板产品一般包括陶瓷基板、设置在陶瓷基板正面的导电极和大功率倒装芯片、设置在陶瓷基板背面的散热片，导电极和散热片均是金属材质，通常是采用金属铜，以利于导电。由于铜的色泽比较暗，反光度不强，制作成LED成品后，反射率不够高。有鉴于此，本领域技术人员通过在陶瓷基板表面用化学沉积的方法覆盖一层银，利用银较高的反射率使成品具有较强的反光功能。然而金属银在高压作用下易氧化发黑，反射率差，并且银材料价格高，造成生产成本居高不下。再者，采用大功率倒装芯片(3W以上)而言，大功率倒装芯片能耗大，加之大功率倒装芯片本身就比较贵，使用成本过高。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种在板上直接封装LED的陶瓷基板，在节约生产成本和使用成本的基础下，有效提高成品反射率，增强产Ij^f生會K O为实现上述目的，本专利技术采用如下之技术方案: 一种在板上直接封装LED的陶瓷基板，包括陶瓷基板、中功率正装芯片、第一电极、第二电极、第一散热片、第二散热片，该中功率正装芯片固定在陶瓷基板的正面，该陶瓷基板上开设有第一导通孔和第二导通孔，该第一导通孔中注入第一导电柱，该第二导通孔中注入第二导电柱，所述第一、第二电极安装于陶瓷基板的正面，第一、第二散热片安装于陶瓷基板的反面，第一电极、第一导电柱、第一散热片为一体式结构，第二电极、第二导电柱及第二散热片也为一体式结构；该中功率正装芯片、第一电极、第二电极彼此之间用金属线相连。作为一种优选方案，所述陶瓷基板是一种反射率大于92%的氧化铝陶瓷板。作为一种优选方案，所述中功率正装芯片与陶瓷基板之间通过粘胶层相连。本专利技术与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言，由上述技术方案可知，其主要是设计中功率正装芯片，以取代传统的大功率倒装芯片，由于中功率正装芯片耗能小，加之中功率正装芯片本身价格便宜，因此能够有效降低生产成本和使用成本。此外，由于陶瓷基板是一种反射率大于92%的氧化铝陶瓷板，靠陶瓷原有的亮面反光，相对于传统采用表面的银层反光而言，银在高压作用下易氧化发黑，反射率差，并且银材料价格高，造成生产成本居高不下，而采用氧化铝陶瓷板不存在上述弊端。为更清楚地阐述本专利技术的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对本专利技术进行详细说明。【附图说明】图1是本专利技术之实施例的组装立体示意图； 图2是图1的背面不意图； 图3是本专利技术之实施例的剖视图； 图4是本专利技术之实施例的陶瓷基板示意图； 图5是本专利技术之实施例中陶瓷基板的透视图。附图标识说明: 1、陶瓷基板2、中功率正装芯片 3、第一电极 4、第二电极 5、第一散热片6、第二散热片 7、粘胶层8、第一导通孔 9、第二导通孔10、第一导电柱 I1、第二导电柱12、金属线。【具体实施方式】请参照图1至图5所示，其显示出了本专利技术之较佳实施例的具体结构，是一种在板上直接封装LED的陶瓷基板1，其结构包括有陶瓷基板1、中功率正装芯片2、第一电极3、第二电极4、第一散热片5、第二散热片6。其中，所述陶瓷基板I是一种反射率大于92%的氧化铝陶瓷板，相对于传统表面采用银层的陶瓷基板，由于金属银具有易氧化的缺点，很容易发黑，并且成本高，改为本专利技术的氧化铝陶瓷板后靠陶瓷反光，不存在上述缺陷。该中功率正装芯片2 (I?2W)固定在陶瓷基板I的正面，中功率正装芯片2与陶瓷基板I之间具有粘胶层7。相对于传统采用大功率倒装芯片(3W以上)而言，大功率倒装芯片能耗大，加之大功率倒装芯片本身就比较贵，使用成本过高。所述第一、第二电极3、4安装于陶瓷基板I的正面，第一、第二散热片5、6安装于陶瓷基板I的反面，该陶瓷基板I上开设有第一导通孔8和第二导通孔9，在陶瓷基板I的第一导通孔8中注入第一导电柱10，在第二导通孔9中注入第二导电柱11，使第一电极3、第一导电柱10、第一散热片5之间导电相连，同样的，第二电极4、第二导电柱11、第二散热片6之间也导电相连。该中功率正装芯片2、第一电极3、第二电极4彼此之间用金属线12相连。本实施例中，所述第一电极3、第一导电柱10、第一散热片5为一体式结构，第二电极4、第二导电柱11及第二散热片6也为一体式结构；藉此，只需要置入模具中，即可一次快速成型出电极、导电柱和散热，成型方式非常简单，有效提高生产效率。综上所述，本专利技术的设计重点在于，其主要是设计中功率正装芯片2，以取代传统的大功率倒装芯片，由于中功率正装芯片2耗能小，加之中功率正装芯片2本身价格便宜，因此能够有效降低生产成本和使用成本。此外，由于陶瓷基板I是一种反射率大于92%的氧化铝陶瓷板，靠陶瓷原有的亮面反光，相对于传统采用表面的银层反光而言，银在高压作用下易氧化发黑，反射率差，并且银材料价格高，造成生产成本居高不下，而采用氧化铝陶瓷板不存在上述弊端。以上所述，仅是本专利技术的较佳实施例而已，并非对本专利技术的技术范围作任何限制，故凡是依据本专利技术的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰，均仍属于本专利技术技术方案的范围内。【主权项】1.一种在板上直接封装LED的陶瓷基板，其特征在于:包括陶瓷基板、中功率正装芯片、第一电极、第二电极、第一散热片、第二散热片，该中功率正装芯片固定在陶瓷基板的正面，该陶瓷基板上开设有第一导通孔和第二导通孔，该第一导通孔中注入第一导电柱，该第二导通孔中注入第二导电柱，所述第一、第二电极安装于陶瓷基板的正面，第一、第二散热片安装于陶瓷基板的反面，第一电极、第一导电柱、第一散热片为一体式结构，第二电极、第二导电柱及第二散热片也为一体式结构；该中功率正装芯片、第一电极、第二电极彼此之间用金属线相连。2.根据权利要求1所述的一种在板上直接封装LED的陶瓷基板，其特征在于:所述陶瓷基板是一种反射率大于92%的氧化铝陶瓷板。3.根据权利要求1所述的一种在板上直接封装LED的陶瓷基板，其特征在于:所述中功率正装芯片与陶瓷基板之间通过粘胶层相连。【专利摘要】本专利技术公开一种在板上直接封装LED的陶瓷基板，包括陶瓷基板、中功率正装芯片、电极、散热片，通过设计中功率正装芯片，以取代传统的大功率倒装芯片，由于中功率正装芯片耗能小，加之中功率正装芯片本身价格便宜，因此能够有效降低生产成本和使用成本；此外，由于陶瓷基板是一种反射率大于92%的氧化铝陶瓷板，靠陶瓷原有的亮面反光，相对于传统采用表面的银层反光而言，银在高压作用下易氧化发黑，反射率差，并且银材料价格高，造成生产成本居高不下，而采用氧化铝陶瓷板不存在上述弊端。【IPC分类】H01L33-60, H01L33-48【公开号】CN104766917【申请号】CN201510138803【专利技术人】康为, 吴朝晖 【申请人】东莞市凯昶德电子科技股份有限公司【公开日】2015年7月8日【申请日】2015年3月27日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种在板上直接封装LED的陶瓷基板，其特征在于：包括陶瓷基板、中功率正装芯片、第一电极、第二电极、第一散热片、第二散热片，该中功率正装芯片固定在陶瓷基板的正面，该陶瓷基板上开设有第一导通孔和第二导通孔，该第一导通孔中注入第一导电柱，该第二导通孔中注入第二导电柱，所述第一、第二电极安装于陶瓷基板的正面，第一、第二散热片安装于陶瓷基板的反面，第一电极、第一导电柱、第一散热片为一体式结构，第二电极、第二导电柱及第二散热片也为一体式结构；该中功率正装芯片、第一电极、第二电极彼此之间用金属线相连。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：康为，吴朝晖，
申请(专利权)人：东莞市凯昶德电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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