一种新型GAN基LED量子阱有源区的外延生长方法技术

本发明专利技术公开一种新型GAN基LED量子阱有源区的外延生长方法，该芯片包括衬底以及依次层叠于衬底上的缓冲层、u-GaN、n型GaN、量子阱有源区、p型GaN，量子阱有源区中的量子垒的生长方法步骤：在纯氮气氛下生长完量子阱后，先切换为纯氢气氛生长一层较厚的纯氢量子垒，然后切换为纯氮气氛，并在纯氮气氛下等待一段时间，之后再生长一层较薄的纯氮量子垒，即量子垒是通过纯氮纯氢气氛的切换分别生长一层较厚的纯氢垒和一层较薄的纯氮垒。该发明专利技术方法能有效地提高量子阱有源区的整体质量，进而提高发光效率；同时由于该方法生长的量子阱有源区较薄，相比于传统的外延生长方法，整体可节约30％的生长时间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及GaN基材料的外延生长，尤其涉及GaN基蓝绿光发光二极管的外延生长。
技术介绍
发光二极管(LED, Light Emitting Diode)具有长寿、节能、环保、可靠性高等优点，并且近年来，LED在大屏幕彩色显示、交通信号灯和照明等领域发挥了越来越重要的作用。但要在全彩屏显示和照明领域应用更加广泛，LED的亮度有待进ー步的提升，生长成本还有待于进一歩降低。目前绝大多数GaN基蓝绿光LED都是采用金属有机化合物气相沉积方法(M0CVD:Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)异质外延生长在蓝宝石(Al2O3)衬底上，但由 于GaN和蓝宝石衬底间具有大的晶格常数和热膨胀系数失配，会在界面处产生强的应力作用，对于目前通用的蓝绿光LED外延结构，通常是采用生长很多周期的高低温量子阱来释放应カ，而这种生长方法通常比较耗时，成本较高。因此，采用特殊的外延方法降低GaN外延层中的应力，提高量子阱有源区材料的晶体质量，同时缩短量子阱有源区的生长时间，降低生产成本，是满足当下LED行业发展形势的基本要求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供ー本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.ー种新型GAN基LED量子阱有源区的外延生长方法，该芯片包括衬底以及依次层叠于衬底上的缓冲层、u-GaN、n型GaN、量子阱有源区、p型GaN，其特征在于量子阱有源区中的量子垒的生长方法步骤在纯氮气氛下生长完量子阱后，先切换为纯氢气氛生长ー层较厚的纯氢量子垒，然后切换为纯氮气氛，并在纯氮气氛下等待一段时间，之后再生长ー层较薄的纯氮量子垒，即量子垒是通过纯氮纯氢气氛的切換分别生长一层较厚的纯氢垒和ー层...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙玉芹，王江波，魏世祯，刘榕，
申请(专利权)人：华灿光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：