【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种高温短时循环退火方法来实现量子阱混杂的同时保护量子阱的晶体质量的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)首先在砷化镓衬底上生长包含量子阱区域的外延晶片;(2)步骤(1)的外延晶片经过清洗后,采用等离子化学气相沉积生长一层SiO2电介质层;(3)采用退火炉将步骤(2)的产品在纯氮气环境中进行循环退火:退火温度800~850℃,退火时间2~8分钟,然后将样品取出冷却至室温,接着再将样品送入退火炉以相同的温度和时间进行退火,然后将样品取出冷却至室温,如此进行多次退火和冷却循环;通过退火使部分缺陷扩散到量子阱里面,导致量子阱和垒的成分在界面处产生混杂。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:李建军,林盛杰,何林杰,
申请(专利权)人:北京工业大学,
类型:发明
国别省市:北京;11
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