【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及制备大功率垂直结构GaN基发光二极管中衬底转移
,特别是具备可裂解性铜衬底发光二极管的制备方法。
技术介绍
以GaN为代表的III / V族化合物是近年来备受关注的半导体材料,由于它们拥有各种优良的光电、物理、化学特性,所以被广泛的应用于激光器、LED等光电子器件。目前受GaN本身生长技术的限制,应用于LED中的GaN材料绝大部分都是以气相沉积的方式生长在 蓝宝石衬底上。虽然这种生长方式可以获得质量较好的GaN单晶外延层,但是也有其不可避免的缺陷,其中最突出的就是由于蓝宝石本身不导电、导热能力差使得在这种衬底上无法制备大功率LED。激光剥离技术的日趋成熟为人们带来了新的工艺方向,那就是衬底转移,即将GaN外延层从原来的蓝宝石上转移到一种新的具备良好的导电和导热性能的衬底之上,从而可以制备垂直结构的LED器件,拓宽了工艺路线,使得大功率LED的制作成为了可能。由于金属具有高的导电、导热性,所以金属材料是这种新衬底的最佳选择。现有技术中,将GaN外延层转移至金属衬底上主要有两种方式键合和电镀,键合金属衬底的方法受金属与GaN热膨胀系数差别较大的原因而难以获得进展,在这个背景下,电镀方法获得了极大的关注和发展。但是利用电镀的方式来获得新的金属衬底也仍然有许多困难需要克服,其中金属衬底的切割和分裂就是一个难题,这一点对铜衬底来说尤为突出。由于铜质地较为柔软,因此在机械切割时产生的铜屑极易粘附在砂轮或切刀上,使其钝化而无法工作,而铜本身良好的导热性能又会使激光切割对器件本身造成热损伤。这个难以分割的缺点对LED器件制作的后续工艺来说是一个极大的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种具备可裂解性铜衬底发光二极管的制备方法,它包括如下步骤 'I采用金属有机物化学气相沉积方法在蓝宝石衬底(101)上依次生长N型GaN半导体层(102)、量子阱有源层(103)和P型GaN半导体层(104); 在P型GaN半导体层(104)上蒸镀金属镜子反射层(105),并在氮气的环境下退火使金属镜子反射层(105)与P型GaN半导体层(104)之间形成欧姆接触; 3在金属镜子反射层(105)及P型GaN半导体层(104)之上溅射上金属作为种子层(IOb) 而在种子层(106)上方,通过高分辨光刻技术在将来需要进行裂 片的部位涂覆厚光刻胶(107); 进行一次电镀形成与光刻胶(10...
【专利技术属性】
技术研发人员:张华东,康学军,郭德博,刘刚,
申请(专利权)人:同方光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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