一种适用于大电流驱动的氮化物LED外延结构制造技术

一种适用于大电流驱动的氮化物LED外延结构，涉及LED光电子器件的制造技术领域。本发明专利技术结构从衬底开始自下而上依次包括：n型化合物半导体、有源区和p型化合物半导体三部分。其结构特点是，所述有源区是由m个量子阱和m+1个量子垒交替堆叠而成，其中，m为任意自然数，量子垒的最大禁带宽度大于相邻量子阱的最大禁带宽度，不同量子垒的最大禁带宽度或膜层厚度呈现渐变方式分布。同现有技术相比，本发明专利技术能减小或者消除氮化物LED在大电流驱动条件下的“能效降低”问题，提高器件的量子效率。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种适用于大电流驱动的氮化物LED外延结构，涉及LED光电子器件的制造
。本专利技术结构从衬底开始自下而上依次包括：n型化合物半导体、有源区和p型化合物半导体三部分。其结构特点是，所述有源区是由m个量子阱和m+1个量子垒交替堆叠而成，其中，m为任意自然数，量子垒的最大禁带宽度大于相邻量子阱的最大禁带宽度，不同量子垒的最大禁带宽度或膜层厚度呈现渐变方式分布。同现有技术相比，本专利技术能减小或者消除氮化物LED在大电流驱动条件下的“能效降低”问题，提高器件的量子效率。【专利说明】—种适用于大电流驱动的氮化物LED外延结构
本专利技术涉及LED光电子器件的制造
，特别是适合大电流驱动的氮化物LED外延生长结构。
技术介绍
基于氮化物AlxInyGa1^yN (O ^ x, y ^ I ；x+y ( I ;纤锌矿晶体结构)半导体材料的发光二极管LED以其节能、环保、长寿命等优点逐渐在电子显示屏、景观照明、矿灯、路灯、液晶显示器背光源、普通照明、生物医药等领域展开广泛应用。由于氮化物AlxInyGanyN(O ^ x,y ^ I ；x+y ( I)半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种适用于大电流驱动的氮化物LED外延结构，它从衬底开始自下而上依次包括：n型化合物半导体、有源区和p型化合物半导体三部分；n型化合物半导体包括缓冲层、非掺杂层、n型电子注入物层，p型化合物半导体包括p型电子阻挡层和p型空穴注入层，n型化合物半导体、有源区和p型化合物半导体三部分的组成材料均为氮化物AlxInyGa1‑x‑yN (0≤x，y≤1；x+y≤1)，且各部分由一层或者若干层不同组分的AlxInyGa1‑x‑yN (0≤x，y≤1；x+y≤1)构成；其特征在于，所述有源区是由m个量子阱和m+1个量子垒交替堆叠而成，其中，m为任意自然数，量子垒的最大禁带宽度大于相邻量子阱的最大禁带宽度，...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马亮，梁信伟，
申请(专利权)人：同方光电科技有限公司，同方股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11