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一种适用于大电流驱动的氮化物LED外延结构，涉及LED光电子器件的制造技术领域。本发明结构从衬底开始自下而上依次包括：n型化合物半导体、有源区和p型化合物半导体三部分。其结构特点是，所述有源区是由m个量子阱和m+1个量子垒交替堆叠而成，其中...该专利属于同方光电科技有限公司;同方股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过同方光电科技有限公司;同方股份有限公司授权不得商用。
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一种适用于大电流驱动的氮化物LED外延结构，涉及LED光电子器件的制造技术领域。本发明结构从衬底开始自下而上依次包括：n型化合物半导体、有源区和p型化合物半导体三部分。其结构特点是，所述有源区是由m个量子阱和m+1个量子垒交替堆叠而成，其中...