发光二极管装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种发光二极管装置的制造方法，其包括：准备发光层叠体的工序，该发光层叠体具有光半导体层及形成在光半导体层之上的电极部；在光半导体层之上以覆盖电极部的方式形成含有光反射成分的密封树脂层的工序；通过以暴露出电极部的上表面的方式局部除去密封树脂层，从而制造发光二极管元件的工序；使发光二极管元件和设有端子的底部基板相对配置且将电极部和端子电连接起来，从而以倒装法将发光二极管元件安装在上述底部基板上的工序。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，详细来说，其涉及一种用于光学用途的。
技术介绍
发光二极管装置包括具有端子的底部基板和安装在该底部基板上的发光二极管元件，该发光二极管元件包括电极部、与该电极部相连接的光半导体层及用于密封光半导体层的密封树脂层。虽然上述的发光二极管装置以往利用引线接合法连接发光二极管元件的电极部和底部基板的端子，但是由于伴随亮度提高而热量增大、由接线的影子产生的亮度的降低等，近年来，为了提高光的提取效率，正在研讨以倒装法将发光二极管元件安装到底部基板上的方法。具体来说，提出了下述方案，S卩，使发光二极管元件的电极部与底部基板的端子相对配置，将上述电极部和上述端子直接电连接起来(例如，参照日本特开2005-158932号公报)。在日本特开2005-158932号公报中，为了进一步提高光的提取效率，在光半导体层的表面上设有由具有较高反射率的金属形成的扩散膜。然而，在记载于日本特开2005-158932号公报的方法中，需要将扩散膜与光半导体层、密封树脂层分开设置，产生需要与此相应的工时的不良情况。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种能够充分地提高光的提取效率并且简便地制造发光二极管装置的发光二极管的制造方法。本专利技术的的特征在于，其包括准备发光层叠体的工序，该发光层叠体具有光半导体层及形成在上述光半导体层之上的电极部；在上述光半导体层之上以覆盖上述电极部的方式形成含有光反射成分的密封树脂层的工序；通过以暴露出上述电极部的上表面的方式局部除去上述密封树脂层来制造发光二极管元件的工序；使上述发光二极管元件和设有端子的底部基板相对配置且将上述电极部和上述端子电连接起来，从而以倒装法将上述发光二极管元件安装到上述底部基板上的工序。此外，在本专利技术的中，优选在准备上述发光层叠体的工序中将上述发光层叠体形成在形成于上述光半导体层之下的支承基板上，在上述形成密封树脂层的工序之后且在上述制造发光二极管元件的工序之前，包括自上述光半导体层除去上述支承基板或者除去上述支承基板的下侧部分的工序。在利用本专利技术的方法获得的发光二极管装置中，密封树脂层含有光反射成分，因此本专利技术的发光二极管能够表现出光反射作用，因此，能够省略日本特开2005-158932号公报所记载的那样的用于分开设置扩散膜与密封树脂层的工时。其结果，能够提高发光二极管装置的光的提取效率并且简便地制造上述发光二极管装置。此外，在光半导体层之上以覆盖电极部的方式形成密封树脂层，以暴露出电极部的上表面的方式局部除去该密封树脂层，因此，能够利用密封树脂层密封除电极部上表面以外的表面。也就是说，能够一边利用密封树脂层密封除电极部上表面以外的表面一边暴露出电极部的上表面。因此，能够有效地防止使电极部的上表面暴露时的电极部的损伤。 附图说明图I是表示本专利技术的的一实施方式的制造工序图，(a)表不准备发光层叠板的工序，(b)表示形成密封树脂层的工序，(c)表示除去底部基板的工序。图2是接着图I表示本专利技术的的一实施方式的制造工序图，(d)表示以暴露出隆起焊盘(bump)的上表面的方式局部除去密封树脂层后对发光层叠板进行切断加工而获得多个发光层叠体且获得各发光二极管元件的工序，(e)表示使发光二极管元件和底部基板相对配置的工序，(f)表示以倒装法将发光二极管元件安装到底部基板上的工序。具体实施例方式图I及图2表示制造工序图，该制造工序图用于表示本专利技术的的一实施方式。在上述方法中，如图I的(a)所示，首先，准备发光层叠板I。发光层叠板I包括支承基板2、形成在该支承基板2之上的光半导体层3及形成在该光半导体层3之上的电极部4，该发光层叠板I形成为多个发光层叠体5排列配置而成的板状(在图I中未图示，为大致圆板状)。即，各发光层叠体5在与其相对应的区域中分别具有支承基板2、光半导体层3及电极部4。以与发光层叠板I的外形形状相对应的方式形成支承基板2，例如，呈俯视大致圆板状形成该支承基板2。支承基板2用于支承下述说明的光半导体层3及电极部4。作为用于形成支承基板2的支承材料，例如，举出Al203(蓝宝石)、SiC、Si、GaN等。优选举出蓝宝石。支承基板2的厚度例如为100 ii m 1000 u m,优选为200 y m 800 u m。光半导体层3包括缓冲层6、形成在该缓冲层6之上的N型半导体层7、形成在该N型半导体层7之上的发光层8及形成在该发光层8之上的P型半导体层9。缓冲层6形成在支承基板2的整个上表面上。缓冲层6用于缓冲支承基板2和下述说明的N型半导体层7的晶格常数的不规则。作为用于形成缓冲层6的缓冲材料，例如，举出元素半导体(单元素半导体)、氧化物半导体、化合物半导体(除氧化物半导体之外)等半导体。作为元素半导体，例如，举出Si、Ge、Sn等4B元素(长周期型周期表中的4B元素，以下相同)。作为氧化物半导体，例如，举出A1203、ZnO、SnO2等典型元素的氧化物，例如，举出TiO2, V2O5, Cr203、MnO2, Fe203、NiO、Cu2O等过渡元素的氧化物等。上述元素能够单独使用或者并用。化合物半导体是由除0以外的多种元素结合而成的化合物，例如，举出AIN、A1P、AlAs, AlSb, GaN, GaP、GaAs, G aSb, InN, InP、InAs, InSb, AlGaN, InGaN, AlInN, AlGaInN 等3B元素和5B元素的化合物，例如，举出ZnS、SnSe、ZnTe等2B元素和6B元素的化合物等。优选举出3B元素和5B元素的化合物。在上述的半导体中优选举出化合物半导体。缓冲层6的厚度例如为0. 5nm 200nm,优选为Inm lOOnm。N型半导体层7形成在缓冲层6的整个上表面上。并不对用于形成N型半导体层7的N型半导体进行特别限定，可以举出公知的N型半导体，例如举出在上述的半导体中微量掺杂(添加)有5B元素及4B元素等杂质的杂质半导体。发光层8以与各发光层叠体5相对应的图案形成在缓冲层6的上表面上。具体来说，发光层8在沿发光层叠板I的方向(与厚度方向正交的方向、面方向，详细来说，图I中的纸面左右方向及向纸面里外方向)上相互隔着间隔配置。也就是说，在各发光层8之间暴露出N型半导体层7的上表面。作为用于形成发光层8的发光材料，可以举出与在上述缓冲层6处举例说明的半导体相同的半导体，优选举出化合物半导体。发光层8的厚度例如为20nm 300nm,优选为30nm 200nm。P型半导体层9以与发光层8相同的图案形成在发光层8的整个上表面上。并不对用于形成P型半导体层9的P型半导体进行特别限定，可以举出公知的P型半导体，例如举出在上述半导体中微量掺杂(添加)有3B元素、2A元素等杂质的杂质半导体。作为2A元素，例如举出Be、Mg等碱土金属。电极部4包括阳极(anode)电极10及阴极(cathode)电极11。阳极电极10以与P型半导体层9 一起夹持透明电极12的方式形成在该P型半导体层9之上，借助透明电极12与P型半导体层9电连接。透明电极12形成在P型半导体层9的上表面上，并且以在向厚度方向投影时包含于P型半导体层9的方式配置。作为用于形成透明电极12的电极材料，例如举出铟锡氧化物(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)等金本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2011.02.24 JP 2011-0387021.一种发光二极管装置的制造方法，其特征在于， 该制造方法包括 准备发光层叠体的工序，该发光层叠体具有光半导体层及形成在上述光半导体层之上的电极部； 在上述光半导体层之上以覆盖上述电极部的方式形成含有光反射成分的密封树脂层的工序； 通过以暴露出上述电极部的上表面的方式局部除去上述密封树脂层来制造发光二极管元件的工序；...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤久贵，井上泰史，三隅贞仁，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：