【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及热电转换元件及热电转换元件的制造方法。
技术介绍
1、以往，已知有利用反常能斯特效应或自旋塞贝克效应的热电转换相关的技术。
2、例如，在专利文献1中，记载了利用反常能斯特效应的热电发电装置。所谓反常能斯特效应，是在磁性体中流通热流而产生了温度差时、沿着与磁化方向和温度梯度这两者正交的方向产生电压的现象。
3、该热电发电装置具有基板、发电体和连接体。发电体由沿着基板的表面而彼此平行地配置的多条细线形成，各细线通过对fept薄膜进行细线化而形成，各细线在其宽度方向上磁化。连接体由沿着基板的表面而与发电体的各细线平行地配置于各细线之间的多条细线形成。连接体例如由非磁性体的cr形成。连接体的各细线将发电体的各细线的一端部、与在各细线的一侧相邻的细线的另一端部电连接。由此，连接体将发电体的各细线以串联的方式电连接。
4、在专利文献2中，记载了利用自旋塞贝克效应的热电转换元件。该热电转换元件具备基板、磁性体层、导电膜、一对端子部及一对外部连接布线。作为磁性体层的材料，使用了例如钇铁石榴石(yig)等氧化物。
5、现有技术文献
6、专利文献
7、专利文献1：日本特开2014-72256号公报
8、专利文献2：国际公开第2013/46948号
技术实现思路
1、专利技术所要解决的课题
2、在物联网(internet of things，iot)社会中的身体状况的监测、或电动汽车(ev)的蓄
3、作为热电转换元件，除了利用塞贝克效应的热电转换元件之外，还已知有如专利文献1所记载的那样利用反常能斯特效应的热电转换元件或如专利文献2所记载的那样利用自旋塞贝克效应的热电转换元件。认为与利用塞贝克效应的热电转换元件相比，利用反常能斯特效应的热电转换元件从批量生产性及挠性的观点考虑是有利的。另一方面，在利用自旋塞贝克效应的热电转换元件中，作为磁性体层的材料，使用yig等氧化物，因此，从批量生产性及挠性的观点考虑很难说是有利的。其原因是，在利用溅射来形成磁性体层的情况下，使用氧化物作为靶材的溅射中的成膜速度比使用金属作为靶材的溅射中的成膜速度慢，难以增大磁性体层的厚度。
4、在专利文献1所记载的热电发电装置中，由多条细线形成的发电体与由多条细线形成的连接体电连接。另一方面，在专利文献1中，没有对用于与发电体电连接的接触部的耐裂纹性进行任何研究。在专利文献2所记载的热电转换元件中，作为磁性体层的材料，使用了yig等氧化物。氧化物大多在塑性及挠性的方面比金属差。因此认为，若使用氧化物的磁性体构成以串联的方式电连接的多条细线，则容易发生断线。
5、鉴于这样的情况，本专利技术提供一种热电转换元件，其从抑制在用于与热电转换部电连接的接触部产生裂纹的观点考虑是有利的。
6、用于解决课题的手段
7、本专利技术提供热电转换元件，其具备：
8、热电转换部，所述热电转换部包含显示反常能斯特效应并且具有铁磁性或反铁磁性的导电性磁性体，并且以线状延伸；
9、连接部，所述连接部包含导电体，并且与前述热电转换部电连接；和
10、延长部，所述延长部是通过前述导电性磁性体从前述热电转换部延伸或者前述导电体从前述连接部延伸而形成的，
11、通过前述导电性磁性体从前述热电转换部延伸而形成的前述延长部与前述连接部层叠，或者，通过前述导电体从前述连接部延伸而形成的前述延长部与前述热电转换部层叠。
12、另外，本专利技术提供热电转换元件的制造方法，其包括通过具备包含显示反常能斯特效应并且具有铁磁性或反铁磁性的导电性磁性体的第一层和包含导电体的第二层的层叠体的蚀刻而形成热电转换部、连接部和延长部的工序，所述热电转换部包含前述导电性磁性体并且以线状延伸，所述连接部包含前述导电体并且与前述热电转换部电连接，所述延长部是通过前述导电性磁性体从前述热电转换部延伸或者前述导电体从前述连接部延伸而形成的，
13、以通过前述导电性磁性体从前述热电转换部延伸而形成的前述延长部与前述连接部层叠的方式，或者以通过前述导电体从前述连接部延伸而形成的前述延长部与前述热电转换部层叠的方式，形成前述热电转换部、前述连接部及前述延长部。
14、专利技术效果
15、上述的热电转换元件从抑制在用于与热电转换部电连接的接触部产生裂纹的观点考虑是有利的。
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1.热电转换元件，其具备：
2.如权利要求1所述的热电转换元件，其中，所述热电转换部具有1×10-2Ωcm以下的比电阻。
3.如权利要求1所述的热电转换元件，其中，通过所述导电性磁性体从所述热电转换部延伸而形成了所述延长部，
4.如权利要求3所述的热电转换元件，其中，将所述延长部的比电阻除以所述延长部的厚度而得到的值Rm及将所述连接部的比电阻除以所述连接部的厚度而得到的值Rc满足Rc/Rm≤3。
5.如权利要求1所述的热电转换元件，其中，将所述连接部的比电阻除以所述连接部的厚度而得到的值Rc为100Ω以下。
6.如权利要求1所述的热电转换元件，其中，所述连接部具有1×10-3Ωcm以下的比电阻。
7.如权利要求1所述的热电转换元件，其中，所述热电转换部或所述连接部与所述延长部一起形成了曲折图案。
8.如权利要求1所述的热电转换元件，其具备具有挠性的基材，
9.热电转换元件的制造方法，其包括通过具备包含显示反常能斯特效应并且具有铁磁性或反铁磁性的导电性磁性体的第一层和包含导电体的第二层的
10.如权利要求9所述的热电转换元件的制造方法，其包括在与大气隔离的状态下连续地形成所述第一层及所述第二层的工序。
11.如权利要求10所述的热电转换元件的制造方法，其中，所述第一层及所述第二层利用磁控溅射来形成。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.热电转换元件，其具备：
2.如权利要求1所述的热电转换元件，其中，所述热电转换部具有1×10-2ωcm以下的比电阻。
3.如权利要求1所述的热电转换元件，其中，通过所述导电性磁性体从所述热电转换部延伸而形成了所述延长部，
4.如权利要求3所述的热电转换元件，其中，将所述延长部的比电阻除以所述延长部的厚度而得到的值rm及将所述连接部的比电阻除以所述连接部的厚度而得到的值rc满足rc/rm≤3。
5.如权利要求1所述的热电转换元件，其中，将所述连接部的比电阻除以所述连接部的厚度而得到的值rc为100ω以下。
6.如权利要求1所述的热电转换元件，其中，所述连接部具有1×10-3ωcm以下的比电阻。
7.如权利要求1所述的热电转换元件，其中，所述热电转换部或所述连...
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