新型三维存储器阵列及制备方法技术

本发明专利技术提供一种新型三维存储器阵列及制备方法，其中的三维存储器阵列包括底座晶体管以及与所述底座晶体管电连接，并且呈阵列分布的存储单元；其中，所述存储单元的一端与位线连接，另一端与字线连接；并且，位于同一层内的存储单元之间通过所述字线并联，位于不同层内的存储单元之间通过层与层之间的电连接孔连接；所有存储单元的底电极均与所述底座晶体管的漏极连接；所述位线、所述字线、所述底座晶体管共同控制所述存储单元的状态。利用上述发明专利技术能够提高阵列的存储密度及规模。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体和cmos混合集成电路，更为具体地，涉及一种新型三维存储器阵列及其制备方法。

技术介绍

1、目前，随着5g、人工智能(ai)、物联网(iot)等新一代信息技术的迅猛发展，海量且广泛的数据需要存储与处理，对半导体存储器的需求也在快速增长。在现今品类繁多的移动终端上，如可穿戴式设备，需要小尺寸的大容量的嵌入式存储。而以flash为代表的非易失存储器在制程节点上遇到微缩瓶颈，同时，平面集成架构也难以进一步通过提高存储密度来满足移动互联网时代对存储的各式需求。此时，作为新型存储器代表之一的rram，因其优良的可拓展性，被视为可进一步微缩制程的重要技术之一。

2、现有的rram阵列，通常是由垂直连接的(crossbar结构)的字线和位线构成，通常存在旁泄电流的问题。也就是说，来自相邻单元的干扰电流可能会导致读取和编程错误，因此，如何在具有抗干扰的情况下访问阵列中选定的存储单元是高密度存储阵列面临的主要挑战之一。

3、但是，现有技术中采用1t1r结构，即晶体管作为选通单元，虽然能关断泄露通路，但三端的mosfet器件会损害r本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种新型三维存储器阵列，其特征在于，包括底座晶体管以及与所述底座晶体管电连接，并且呈阵列分布的存储单元；其中，

2.根据权利要求1所述的新型三维存储器阵列，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的新型三维存储器阵列，其特征在于，

4.根据权利要求1或3所述的新型三维存储器阵列，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的新型三维存储器阵列，其特征在于，

6.一种新型三维存储器阵列的制备方法，其特征在于，包括：

7.根据权利要求6所述的新型三维存储器阵列的制备方法，其特征在于，

8.根据权利要求6所述的新型三维...

【技术特征摘要】

1.一种新型三维存储器阵列，其特征在于，包括底座晶体管以及与所述底座晶体管电连接，并且呈阵列分布的存储单元；其中，

2.根据权利要求1所述的新型三维存储器阵列，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的新型三维存储器阵列，其特征在于，

4.根据权利要求1或3所述的新型三维存储器阵列，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的新型三维存储器阵列，其特征在于，

6.一种新型三...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡一茂，杨高琦，王宗巍，李劲杉，鲍盛誉，黄如，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：