【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及透明导电性薄膜。
技术介绍
1、以往，已知有沿厚度方向依次具备树脂制的透明的基材薄膜和透明的导电层(透明导电层)的透明导电性薄膜。透明导电层例如作为用于形成液晶显示器、触摸面板、及太阳能电池等各种器件中的透明电极的导体膜使用。透明导电层例如通过利用卷对卷方式在长条的基材薄膜上将导电性氧化物溅射成膜来形成(溅射成膜工序)。导电性氧化物的成膜在溅射成膜装置的成膜室内实施。对于涉及这种透明导电性薄膜的技术，例如记载于下述的专利文献1中。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2017-71850号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、对透明导电性薄膜的透明导电层要求为低电阻。特别是对于透明电极用途的透明导电性薄膜，该要求强。对透明导电性薄膜的透明导电层还要求在该薄膜的弯曲时不易产生破裂。特别是对柔性器件用途的透明导电性薄膜，该要求强。
3、另外，透明导电性薄膜有时在具备该薄膜的器件的制造过程中被暴露于比较高温的加热工艺中。对这样的透明导电性薄膜的透明导电层要求事后的加热所引起的电阻值的上升不存在或电阻值的上升小。
4、但是，对于非晶区域和晶粒混合存在的透明导电层，透明导电层内的水分含量过少的情况下，电阻值因事后的加热而显著上升。本专利技术人等得到了这样的见解。
5、本专利技术提供适于使透明导电层在低电阻化的同时、抑制弯曲时的破裂和加热所引起的电阻值上升的透明导电
6、用于解决问题的方案
7、本专利技术[1]包含一种透明导电性薄膜，其沿厚度方向依次具备透明基材和透明导电层，前述透明导电层包含非晶区域和晶粒，前述透明导电层含有2.0×1020cm-3以上的氢原子。
8、本专利技术[2]包含上述[1]所述的透明导电性薄膜，其中，前述透明导电层具有4.0×10-4ω·cm以上的电阻率。
9、本专利技术[3]包含上述[1]或[2]所述的透明导电性薄膜，其中，前述透明导电层在140℃且30分钟的加热后包含非晶区域和晶粒。
10、专利技术的效果
11、本专利技术的透明导电性薄膜如上所述，透明导电层包含非晶区域和晶粒。透明导电层包含非晶区域和晶粒使得透明导电层适于兼顾低电阻化和弯曲时的破裂的抑制(非晶质透明导电层为高电阻，结晶质透明导电层容易破裂)。另外，透明导电性薄膜中，透明导电层的氢原子含量为2.0×1020cm-3以上。这样的透明导电性薄膜适于抑制事后的加热引起的透明导电层的电阻值上升。因此，透明导电性薄膜适于使透明导电层在低电阻化的同时抑制弯曲时的破裂和加热所引起的电阻值上升。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种透明导电性薄膜，其沿厚度方向依次具备透明基材和透明导电层，
2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述透明导电层具有4.0×10-4Ω·cm以上的电阻率。
3.根据权利要求1或2所述的透明导电性薄膜，其中，所述透明导电层在140℃且30分钟的加热后包含非晶区域和晶粒。
【技术特征摘要】
1.一种透明导电性薄膜，其沿厚度方向依次具备透明基材和透明导电层，
2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述透明导电层具有4.0×1...
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