【技术实现步骤摘要】
专利技术构思的技术构思涉及一种集成电路，更具体地，涉及一种包括保护环的集成电路以及制造该集成电路的方法。
技术介绍
1、由于半导体工艺的发展，集成电路可以具有高集成度，并且在一个集成电路中可以包括各种块。例如，与晶圆分离的一个芯片可以包括用于处理数字信号的块以及用于处理模拟信号的块。另外，在一个芯片中可以包括有源器件(诸如晶体管和二极管)以及无源器件(诸如电阻器和电容器)。对于半导体工艺的要求并且/或者为了防止块之间的干扰，集成电路可以包括围绕块的保护环。
技术实现思路
1、专利技术构思提供了一种包括提供电力传输路径的保护环的集成电路及制造该集成电路的方法。
2、根据专利技术构思的一个方面，提供了一种集成电路，所述集成电路包括多个块，其中，所述多个块中的每个块包括：器件，形成在正面布线层与背面布线层之间的器件层中；以及块保护环，围绕器件，其中，块保护环包括从背面布线层的第一背面图案朝向正面布线层延伸的第一硅通孔，并且其中，第一背面图案被配置为施加提供给器件中的至少一个器件的第一...
【技术保护点】
1.一种集成电路，所述集成电路包括多个块，
2.根据权利要求1所述的集成电路，
3.根据权利要求2所述的集成电路，
4.根据权利要求3所述的集成电路，其中，第一硅通孔在第二水平方向上具有比第二节距长的长度。
5.根据权利要求2所述的集成电路，其中，所述多个栅电极被配置为电浮置。
6.根据权利要求2所述的集成电路，
7.根据权利要求6所述的集成电路，
8.根据权利要求6所述的集成电路，
9.根据权利要求2所述的集成电路，其中，块保护环还包括：
10.根据权利要求9...
【技术特征摘要】
1.一种集成电路，所述集成电路包括多个块，
2.根据权利要求1所述的集成电路，
3.根据权利要求2所述的集成电路，
4.根据权利要求3所述的集成电路，其中，第一硅通孔在第二水平方向上具有比第二节距长的长度。
5.根据权利要求2所述的集成电路，其中，所述多个栅电极被配置为电浮置。
6.根据权利要求2所述的集成电路，
7.根据权利要求6所述的集成电路，
8.根据权利要求6所述的集成电路，
9.根据权利要求2所述的集成电路，其中，块保护环还包括：
10.根据权利要求9所述的集成电路，其中，第一硅通孔经由正面图案电连接到器件中的至少一个器件。
11.根据权利要求1所述的集成电路，
12.根据权利要求1所述的集成电路，所述集成电路还包括：
13.一种...
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