【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种适用于制备高亮度LED的蓝宝石图形衬底的光刻版，属于半导体发光二极管的
技术介绍
蓝宝石衬底是目前制备发光二极管(LED)的主流衬底。但是由于蓝宝石衬底和GaN之间存在较大的晶格失配和热膨胀系数失配，生长的GaN外延层质量存在很高的位错密度。而图形衬底技术是在蓝宝石衬底上作出细微的图形结构，然后生长外延GaN。采用图 形衬底可使得GaN生长由纵向外延变为横向外延,能够显著降低外延GaN的位错密度；同时特殊的图形结构能改变有源区发出光的传播路线，增加出光机会，提高光提取效率。光刻版是制备图形衬底的关键组件，能够将其上面的图形通过光刻转移到蓝宝石衬底上，从而制备出图形衬底。现有图形衬底的光刻版其结构一般是圆形不透光图形等距排列。但是采用这种光刻版制备的蓝宝石图形衬底在进行GaN外延生长时，GaN晶体相互连接时由于晶面不连续，容易形成位错。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本技术提供了一种适用于制备高亮度LED的蓝宝石图形衬底的光刻版。本技术的技术方案如下一种适用于制备高亮度LED的蓝宝石图形衬底的光刻版，包括透光区域和不透光区域，所述的不透光区域呈正方形，且在透光区域内呈多行排列同行之间，正方形不透光区域等距排列；相邻行之间，正方形不透光区域呈错位等距排列。所述正方形不透光区域的边长范围为1-10 μ m;同行之间，正方形不透光区域等距排列，等距距离范围为1-10 μ m;相邻行之间，正方形不透光区域呈错位等距排列，错位等距距离范围为1-10 μ m。优选的，正方形不透光区域的边长、正方形不透光区域等距排列的等距距离和正方形不透光区域呈...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种适用于制备高亮度LED的蓝宝石图形衬底的光刻版，包括透光区域和不透光区域，其特征在于，所述的不透光区域呈正方形，且在透光区域内呈多行排列同行之间，正方形不透光区域等距排列；相邻行之间，正方形不透光区域呈错位等距排列。2.根据权利要求I所述的适用于制备高亮度LED的蓝宝石图形衬底的光刻版，其特征在于，所述正方形不透光区域的边长范围为l-ΙΟμπι;同行之间，正方形不透光区域等距排列，等距距离范围为1-10 μ m;相邻行之间，正方形不透光区域呈错位等距排列，错位等距距离范围为Ι- ο μ m。3.根据权利要求2所述的适用于制备高亮度LED的蓝宝石图形衬底的光刻版，其特征在于，正方形不透光区域...
【专利技术属性】
技术研发人员：张雷，于国建，郝霄鹏，胡小波，徐现刚，
申请(专利权)人：山东天岳先进材料科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。