射频功率的检测方法技术

本发明专利技术涉及一种射频功率的检测方法，包括以下步骤：建氧气流量、腔室气压和射频功率开启时间的工艺菜单，在所述工艺菜单下，测取若干组热氧化厚度对应射频功率的数据，求取热氧化厚度与射频功率的关系；测取裸片表面氧化层的第一厚度T1；裸片放入腔室，在所述工艺菜单下通入氧气；裸片热氧化后，测取裸片表面氧化层的第二厚度T2；求取第二厚度T2与第一厚度T1的差值得到热氧化厚度T3；根据热氧化厚度T3对照所述工艺菜单下热氧化厚度与射频功率的关系，求取射频功率PRF。本发明专利技术采用特定工艺条件下热氧化厚度与射频功率的关系，通过获取热氧化厚度后推导出射频功率，方法简单，不需要停机，检测结果较精确。

【技术实现步骤摘要】
射频功率的检测方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种射频功率的检测方法。
技术介绍
射频功率是高密度等离子体沉积工艺中一个重要的参数，在工艺运行中确定准确的射频功率是必要的，不同的射频功率会带来不同的沉积性能。射频发生器的功率可以用功率校准工具(RFcalibrationtool)来检测，所述功率校准工具包括探头(sensorhead)、功率计(powermeter)和虚拟负载(dummyload)。所述探头一端连接射频发生器，另一端连接虚拟负载，所述功率计连接探头用于观察射频功率，虚拟负载能够真实反应出射频功率，这种方法精度高，但是实际生产过程中，虚拟负载的检测环境不同于射频发生器作用在腔室的环境，腔室的影响因素很多，是一个复杂的环境，所以用功率校准工具来检测虚拟负载时得出的射频功率不能完全代表腔室的功率。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种射频功率的检测方法，以精确检测射频功率且方法直接简单。本专利技术的技术解决方案是一种射频功率的检测方法，包括以下步骤：建氧气流量、腔室气压和射频功率开启时间的工艺菜单，在所述工艺菜单下，测取若干组热氧化厚度对应射频功率的数据，求取所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频功率的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：建氧气流量、腔室气压和射频功率开启时间的工艺菜单，所述氧气流量为10-100sccm，腔室气压为1-10mtorr；射频功率开启时间为30-60s；在所述工艺菜单下，测取若干组热氧化厚度对应射频功率的数据，求取所述工艺菜单下热氧化厚度与射频功率的关系；测取裸片表面氧化层的第一厚度T1；裸片放入腔室，在所述工艺菜单下通入氧气；裸片热氧化后，测取裸片表...

【专利技术属性】
技术研发人员：田守卫，孙洪福，费孝爱，林爱兰，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：