本发明专利技术提供一种能够切实且以高速进行掩模层的除去的磁记录介质的制造方法。本发明专利技术是一种具有磁分离了的磁记录图案(2a)的磁记录介质的制造方法，其包括：在非磁性基板(1)之上形成磁性层(2)的工序；在磁性层(2)之上形成溶解层(3)的工序；在溶解层(3)之上形成掩模层(4)的工序；将溶解层(3)和掩模层(4)图案化成为与磁记录图案(2a)对应的形状的工序；将磁性层(2)的没有被掩模层(4)和溶解层(3)覆盖的地方部分性地改性或除去的工序；和利用药剂将溶解层(3)湿式溶解，与其上的掩模层(4)一同从磁性层(2)之上除去的工序，在形成溶解层(3)的工序中，通过在磁性层(2)之上涂布了将有机硅化合物溶解于有机溶剂中的涂液后，固化该涂液，从而形成溶解层(3)。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于硬盘装置(HDD)等中的磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置。
技术介绍
近年来，硬盘装置、软盘装置、磁带装置等的磁记录装置的应用范围显著地增大，在其重要性增加的同时，对于在这些装置中所使用的磁记录介质，正在谋求其记录密度的显著提高。特别是引入MR磁头和PRML技术以来，面记录密度的上升更加加剧，近年来还引入了 GMR磁头和TMR磁头等，正在以一年约I. 5倍的速度持续增加，对于这些磁记录介质，要求今后达到更高的记录密度。因此，要求实现磁性层的高矫顽力化、高信噪比(SNR)和高分辨率。另外，近年来，在线记录密度的提高的同时通过磁道密度的增加来使面记录密度上升的努力也在继续。在最新的磁记录装置中，磁道密度已达到了 250kTPI。但是，如果将磁道密度提高下去，则相邻的磁道间的磁记录信息会相互干扰，其边界区域的磁化迁移区域成为噪声源，从而容易产生损害SNR的问题，这会直接导致比特误码率(Bit Error Rate)的恶化，因此对于记录密度的提高成为阻碍。为了使面记录密度上升，需要将磁记录介质上的各记录位的尺寸变得更微细，在各记录位确保尽可能大的饱和磁化和磁性膜厚。另一方面，如果将记录位微细化下去，则每一比特的磁化最小体积变小，产生因热摆造成的磁化翻转而使记录数据消失的问题。另外，如果将磁道密度提高下去，则磁道间距离接近，因此磁记录装置在要求极高精度的磁道伺服技术的同时，一般采用下述方法宽幅地实行记录，为了尽量排除来自相邻磁道的影响，再生比记录时窄地实行。但是，在该方法中，虽然可以将磁道间的影响抑制为最小限度，但难以充分获得再生输出，其结果存在难以确保充分的SNR的问题。作为解决这样的热摆的问题和确保SNR、确保充分的输出的方法之一，曾进行了下述尝试在记录介质表面形成沿磁道的凹凸，将记录磁道彼此物理性地分离，由此提高磁道密度。这样的技术一般被称为分离磁道法(discrete track method),将由此制造了的磁记录介质称为分离磁道介质。另外，也有制造将同一磁道内的数据区域进一步分割了的所谓图案化介质的尝试。作为分离磁道介质的一例，已知在表面形成了凹凸图案的非磁性基板上形成磁记录介质，形成物理性地分离了的磁记录磁道和伺服信号图案的磁记录介质(例如，参照专利文献1)。该磁记录介质，是在表面具有多个凹凸的基板的表面隔着软磁性层形成强磁性层，再在其表面上形成了保护膜的磁记录介质。在该磁记录介质中，在凸部区域形成了与周围物理性地分隔了的磁记录区域。根据该磁记录介质，能够抑制在软磁性层中的磁畴壁产生，因此难以出现热摆的影响，也没有相邻的信号间的干扰，所以能够形成噪声少的高密度磁记录介质。分离磁道法有在形成了由几层的薄膜构成的磁记录介质后形成磁道的方法；和预先在基板表面直接或者在用于磁道形成的薄膜层上形成了凹凸图案后，进行磁记录介质的薄膜形成的方法(例如，参照专利文献2、3)。其中，前者的方法被称为磁层加工型。但是，在该方法的情况下，由于在介质形成后实施对表面的物理加工，因此存在介质在制造工序中容易被污染，并且制造工序变得非常复杂的缺点。另一方面，后者的方法被称为压花加工型。但是，在该方法的情况下，虽然在制造工序中介质难以被污染，但是由于形成于基板上的凹凸形状被在其上成膜了的膜所继承，因此存在一边在介质上浮起一边进行记录再生的记录再生磁头的浮起姿势、浮起高度变得不稳定的问题。 另外，曾公开了对预先形成了的磁性层注入氮、氧等的离子或者照射激光，由此使该部分的磁特性变化从而形成分离磁道介质的磁道间区域的方法(例如，参照专利文献4 6)。此外，曾公开了在磁性层的表面形成了凹凸图案后，形成覆盖其表面的非磁性层，将该非磁性层的表面通过斜方离子束蚀刻、CMP(Chemical Mechanical Polishing)平滑化，由此形成磁记录图案的方法(例如，参照专利文献7)。现有技术文献专利文献I :日本特开2004-164692号公报专利文献2 日本特开2004-178793号公报专利文献3 :日本特开2004-178794号公报专利文献4 :日本特开平5-205257号公报专利文献5 日本特开2006-209952号公报专利文献6 :日本特开2006-309841号公报专利文献7 日本特开2005-135455号公报
技术实现思路
作为图案化介质的制造方法，在采用形成连续的磁性层的薄膜后，将该磁性层部分性地加工或者将磁特性改性从而形成磁记录图案的方法的情况下，需要在连续的磁性层的薄膜的表面设置与磁记录图案对应的掩模层。该掩模层要求能够耐受磁性层的部分性的加工和磁特性的改性的强度和对于离子束的遮蔽性。另一方面，该掩模层需要在磁性层的图案化工序之后可以容易地除去。作为具有这样的特性的材料，可使用例如硬质碳。原因是硬质碳具有对于惰性离子束等的高的遮蔽性，并且可以通过氧等离子体等进行气化。但是，掩模层的等离子体除去花费时间，这使磁记录介质的生产率降低。另外，如果想要使掩模层的等离子体除去高速化，则表面容易残留残渣，这使磁记录介质的表面的平滑性降低。此外，在掩模层的形成工序时，如果因灰尘等的影响而有图案化不充分的部位，则该部位等离子体蚀刻变不充分，没有彻底除去掩模层而作为突起残留。如果为了除去该掩模层，将等离子体蚀刻强化，则有时对于磁性层的损伤变大。另外，掩模层的除去也有时使用CMP(化学机械抛光；Chemical MechanicalPolishing)，谋求除去速度的高速化，但CMP难以检测其研磨的停止位置，有时研磨到磁性层的表面。本专利技术是鉴于这样的现有的情况提出的，其目的是提供一种磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置，该磁记录介质的制造方法能够切实而且以高速进行掩模层的除去，并且能够适当地除去掩模层，形成没有 突起的处理面，再者，能够进一步提高生产率，另外，该磁记录再生装置使用采用这样的制造方法制造的磁记录介质，能够进一步提高电磁转换特性。为了实现上述目的，本专利技术者进行了专心研究的结果发现通过在磁性层和掩模层之间设置溶解层，并利用药液将该溶解层湿式溶解，可以切实并且以高速从磁性层的表面将掩模层没有残存地除去，其结果，可以显著地提高磁记录介质的生产率，并且制造平滑性高的磁记录介质，从而完成了本专利技术。S卩，本专利技术提供以下的手段。(I) 一种磁记录介质的制造方法，是具有磁分离了的磁记录图案的磁记录介质的制造方法，其特征在于，包括在非磁性基板之上形成磁性层的工序；在上述磁性层之上形成溶解层的工序；在上述溶解层之上形成掩模层的工序；将上述溶解层和掩模层图案化成为与上述磁记录图案对应的形状的工序；将上述磁性层的没有被上述掩模层和溶解层覆盖的地方部分性地改性或除去的工序；和利用药剂将上述溶解层湿式溶解，与其上的掩模层一同从上述磁性层之上除去的工序，在形成上述溶解层的工序中，通过在上述磁性层之上涂布了将有机硅化合物溶解于有机溶剂中的涂液后，固化该涂液，从而形成上述溶解层。(2)根据上述(I)所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，上述有机硅化合物包含聚硅氧烷，上述有机溶剂包含丙二醇单甲醚或丙二醇单甲醚乙酸酯。(3)根据上述⑴或⑵所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，上述药剂包含异丙醇。(4) 一种磁记录再生装置本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：石桥信一，冈田翼，山根明，茂智雄，上田学，王志鹏，村上雄二，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：
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