转印用基板和有机电致发光元件的制造方法技术

技术编号:7644610 阅读:157 留言:0更新日期:2012-08-05 01:57
本发明专利技术披露一种转印用基板,该转印用基板包括透光性支撑基板、形成在透光性支撑基板上的光热转化层、形成在光热转化层上的转印层。转印层被转印作为有机电致发光元件的发光层并且由金属配合物、荧光掺杂剂以及母体骨架具有4-7个环的芳族烃形成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及转印用基板(transfer substrate)和有机电致发光元件的制造方法。更具体地,本专利技术涉及用于形成发光层图案的转印用基板和利用该转印用基板制造有机电致发光元件的方法。
技术介绍
使用有机电致发光元件(所谓的有机EL元件)的显示器件,作为质量轻且效率高的平板显示器件,近来倍受关注。用于这种显示器件的有机电致发光元件设置在透明基板例如玻璃上,并布置为从基板侧观察时ITO (氧化铟锡透明电极)制成的阳极、有机层和阴极顺次层叠。有机层具有如下布置从阳极侧观察时空穴注入层、空穴传输层和可传输电子的发光层顺次层叠。对于如此布置的有机电致发光元件,从阴极注入的电子和从阳极注入的空穴在发光层复合,从而光透过阳极从基板侧射出。使R(红)、G (緑)和B (蓝)各色有机电致发光元件排列在基板上,形成利用这种有机电致发光元件的全色显示器件。在制造这种显示器件吋,由能够发射各色光的有机发光材料形成的发光层应形成相应于各发光元件的图案。目前,通过例如荫罩法(经由在薄板上设置开ロ图案而形成的掩模,真空蒸镀或涂覆发光材料)或喷墨法,形成发光层的图案。通过荫罩法形成图案时,难以实现有机电致发光元件的更精细化和高集成度,这是因为掩模中形成的开ロ图案难以实现更精细的制造,此外由于掩模的挠曲和拉伸,在发光元件区域中难以形成具有高度定位精准性的图案。包括预先形成的有机层的功能层接触形成有开ロ图案的掩模时易于受损,从而导致制造成品率下降。通过喷墨法形成图案时图案化的精准度有限,因而难以实现电致发光器件的精细制造和高集成度以及大尺寸基板的形成。为避免上述问题,作为有机材料构成的发光层或其它功能层的新型图案化方法,提出了利用能源(热源)的转印方法(即热转印法)。例如以下述方式利用热转印法制造显示器件。首先,在显示器件的基板(此后称为“器件基板”)上形成下部电极。另一方面,经由光热转化层在另一基板(此后称为“转印用基板”)上形成发光层。布置器件基板和转印用基板,以使发光层和下部电极彼此相対,在这种布置下,从转印用基板ー侧照射激光束,从而使发光层热转印到器件基板的下部电极上。此时通过点射激光束(spot-irradiatedlaser beam)进行扫描时,发光层以高度的定位精准性仅仅热转印到下部电极上的给定区域(见特开2002-110350号公报和特开平11-260549号公报)。针对按照热转印法制造的有机电致发光元件,提出了在热转印发光层之前对器件基板和转印用基板进行热处理来改善发光效率和亮度半衰期的方法(见特开2003-229259号公报)。此外,提出了使用升华性化合物作为激光诱导热图像形成系统的高敏感度供体来増加敏感度的方法(见特开平10-6643号公报)。另ー方面,披露了在有机电致发光元件的发光层中使用具有芳族环(包括四个以上缩合多环烃)的化合物作为掺杂剂的方法(见特开平9-241629号公报)。然而,利用这种热转印法得到的发光元件存在下述问题激光照射使转印层劣化(尽管取决于该转印层使用的有机材料的类型),使得与荫罩法制造的发光元件相比,发光效率降低,驱动电压升高并且亮度半衰期缩短。因而,如上所述通过这种方法作出的改进就其所产生的效果而言并不令人满意。
技术实现思路
期望提供用于制造能够保持高发光效率和长亮度半衰期的有机电致发光元件的转印用基板。还期望提供如上所述利用该转印用基板并能够改善发光效率和亮度半衰期的有机电致发光元件的制造方法。为实现上述目的,本专利技术的实施方案提供转印用基板,该转印用基板包括透光性支撑基板、形成在支撑基板上的光热转化层和形成在光热转化层上的转印层,其中转印层被转印作为有机电致发光元件的发光层并由金属配合物、荧光掺杂剂和母体骨架具有4-7个环的芳族烃的混合物形成。此外,本专利技术的另ー实施方案提供如上所述利用该转印用基板的有机电致发光元件的制造方法,其特征在于使用该转印用基板形成发光层。在该实施方案中,在转印层朝向器件基板侧的状态下,将转印用基板与器件基板相对放置。通过从支撑基板侧照射光束使转印层升华以转印器件基板上的转印层,从而形成发光层。在上述布置中,由于转印用基板的转印层由金属配合物、荧光掺杂剂和母体骨架具有4-7个环的芳族烃组成的三元材料形成,因而通过该转印层的升华而形成的发光层由三元材料形成。已证实,尽管在所述三元材料构成的发光层中芳族烃对发光没有贡献,但与不含芳族烃的情况相比,由所述三元材料形成的发光层具有更高的发光效率和更长的亮度半衰期。此外,与通过真空共蒸镀法得到的发光层相比,所述发光层的三种材料的混合状态具有更闻的均一性并且具有控制更精确的材料比。因而,根据本专利技术的实施方案,可获得由三元材料形成的发光层,该发光层以高度的均一性和高精准性的材料比保证高的发光效率和改善的亮度半衰期。使用该发光层,可获得发光效率和亮度半衰期进一歩改善的有机发光元件。本专利技术涉及如下内容(I). 一种转印用基板,包括透光性支撑基板;形成在所述透光性支撑基板上的光热转化层;和形成在所述光热转化层上的转印层,其中所述转印层被转印作为有机电致发光元件的发光层并且由金属配合物、荧光掺杂剂以及母体骨架具有4-7个环的芳族烃形成。(2). (I)的转印用基板,其中所述金属配合物为羟基喹啉与选自铝、镓和铟中的金属配位结合的配合物。(3). (I)的转印用基板,其中在所述转印层中所述芳族烃的用量不大于50wt%。(4).⑴的转印用基板,其中所述转印层具有叠层结构,所述叠层结构包括所述金属配合物和所述荧光掺杂剂形成的混合层以及所述芳族烃形成的层。(5).⑴的转印用基板,其中所述转印层具有叠层结构,所述叠层结构包括所述金属配合物形成的层、所述荧光掺杂剂形成的层、所述芳族烃形成的层。(6). (I)的转印用基板,其中所述荧光掺杂剂由绿色发光材料或红色发光材料制成。(7). 一种制造有机电致发光元件的方法,所述方法包括下述步骤在器件基板上形成下部电极图案;在所述下部电极上形成至少包括发光层的有机层;和形成经过所述有机层层叠在所述下部电极上的上部电极,其中所述发光层如下形成提供转印用基板,所述转印用基板通过在透光性支撑基板上顺次形成光热转化层和转印层而获得,所述转印层由三种包括主体材料和荧光掺杂剂的有机材料形成,将所述转印用基板与所述器件基板相对放置,以使所述转印层与所述器件基板的ー侧相対,以及通过从所述支撑基板ー侧照射光束使所述转印层升华,以将所述转印层转印到所述器件基板上。附图说明图I为根据本专利技术实施方案的转印用基板的截面示意图;图2A和2B为包括根据本专利技术实施方案使用转印用基板制造的有机电致光元件的显示器件的制造方法中一个步骤的截面示意图;图3A和3B为图2B所示步骤之后的步骤的截面示意图;图4A和4B为图3B所示步骤之后的步骤的截面示意图; 图5为通过本专利技术另一实施方案的制造方法获得的另ー种显示器件的截面示意图;图6A和6B为本专利技术再一实施方案的显不器件的电路图;图7为应用本专利技术密封类型的模块状显示器件的示意图;图8为应用本专利技术的电视机的透视图;图9A和9B为应用本专利技术的数码相机的示意图,其中图9A为相机的正面透视图,图9B为相机的背面透视图;图10为应用本专利技术的笔记本个人电脑的透视图;图11为应用本专利技术的摄像机本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:松波成行鬼岛靖典
申请(专利权)人:索尼株式会社
类型:发明
国别省市:

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