【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于硅光伏电池生产的光致发光成像系统。相关申请本申请要求专利申请号为2009903823、2009903822和2009903813的澳大利亚临时专利申请的优先权，上述申请于2009年8月14日递交，上述申请中的内容通过引用在此进行结合。
技术介绍
本说明书中所提到的现在技术不应该被认为是已经被广泛地知晓，或不应该被认为构成本领域公知常识的一部分。通过公开号为W02007/01759A1的PCT申请所述公开的装置和方法来进行的光致发光(PL)成像已经表明其具有对硅材料和装置，尤其是对基于硅晶片的光伏电池(PV)进行快速表征的价值；(该申请的专利技术名称为用于检查间接带隙半导体结构的方法和系统， 且在此处通过引用进行结合)。如图1所示，从具有由超带隙光8的源6光致激发的主要区域的硅晶片4处产生的光2可以采用硅C⑶相机10通过聚光器件被成像，其中，系统优选包括均化光学器件12用于提高了主要区域激发的均勻性，若所述激发光处于所述相机的探测带宽内，还包括设于相机前方的长通滤波器14。所述系统还可以包括一个或多个滤波器15，在宽带源被使用时用于选择光致激...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：托斯顿·特鲁普克，伊恩·安德鲁·麦克斯威尔，约尔根·韦伯，罗伯特·安德鲁·巴多斯，
申请(专利权)人：BT成像股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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