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本发明涉及一种对一系列硅晶片进行光致发光成像的方法，本发明的方法包括采用波长大于808nm的入射光的步骤。本发明又提出了一种采用各种光照射、相机和滤波器的结合对硅半导体材料进行分析的方法。在另一个实施例中，相机被用于捕获整个光致发光响应，且...
该专利属于BT成像股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过BT成像股份有限公司授权不得商用。

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