一种光伏多晶硅片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种光伏多晶硅片，包括多晶硅片，所述多晶硅片的四端通过弧角连接，所述多晶硅片的外侧设有安装套片，所述多晶硅片表面设有第一栅线，所述多晶硅片表面均匀设有第二栅线，所述多晶硅片内部均匀设有硼杂质，所述多晶硅片的上表面设有氮化硅薄膜，所述氮化硅薄膜上端设有减反射层，所述减反射层上侧与多晶硅片的下侧均设有保护膜，所述多晶硅片下端固定连接有电极。该提高了硅片的硬度，减反射层减少了光的反射，从而提升了光能的利用率，防止了多晶硅片被腐蚀，增加了使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光伏发电
，具体为一种光伏多晶硅片。
技术介绍
随着全世界环境保护意识的高涨，地球升温所造成的自然灾害日益严重，和全世界十亿以上住在无电或缺电地区的人口用电量需求日益迫切，太阳能电池市场将会继续快速地成长，目前全世界太阳能电池的发电量还不到传统能源发电量的万分之一，主要因为太阳能电池发电的成本是传统能源发电成本的2-3倍，从太阳能电池光电转换效率来看，近几年来，随着工艺技术水平的不断提高，也有重大的突破，目前，单晶硅太阳能电池转换效率已从3年前的14%提高到17%，多晶硅太阳能电池转换效率也从3年前的10%提高到 15%，超高效率的太阳能电池转换效率已超过50%，世界光伏组件产量上世纪末最后10年的平均增长率为20%，从1991年的55兆瓦增长到2000年的287兆瓦，而进入2000年后，全球光伏组件的年均增长率更是高达30%以上，2003 年全球的产量达到了744兆瓦，光伏产业成为全球发展最快的新兴行业之一，太阳能电池需求年均增长率高达30%，可预见的高速增长将持续40年以上，但反射率仍然较高，从而导致光能的利用率较低，且多晶硅片容易被腐蚀，因此，提出了一种光伏多晶硅片。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种光伏多晶硅片，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种光伏多晶硅片，包括多晶硅片，所述多晶硅片的四端通过弧角连接，所述多晶硅片的外侧设有安装套片，所述多晶硅片表面设有第一栅线，所述多晶硅片表面均匀设有第二栅线，所述多晶硅片内部均匀设有硼杂质，所述多晶硅片的上表面设有氮化硅薄膜，所述氮化硅薄膜上端设有减反射层，所述减反射层上侧与多晶硅片的下侧均设有保护膜，所述多晶硅片下端固定连接有电极。优选的，所述第一栅线的数量不少于4个，且第一栅线之间相互平行。优选的，所述第二栅线之间相互平行。优选的，所述第一栅线与第二栅线之间相互垂直。优选的，所述电极的数量为2个，且电极分别设在多晶硅片下表面的两侧。与现有技术相比，本技术的有益效果是：该光伏多晶硅片通过掺杂在多晶硅片中的硼杂质，从而提高了硅片的硬度，且提升了导电效率，通过安装套片实现了对多晶硅片的固定，而不影响光照率，减反射层减少了光的反射，从而提升了光能的利用率，防止了多晶硅片被腐蚀，增加了使用寿命。附图说明图1为本技术结构示意图；图2为本技术多晶硅片结构示意图。图中：1多晶硅片、11硼杂质、2安装套片、3第一栅线、4第二栅线、5弧角、6电极、7保护膜、8氮化硅薄膜、9减反射层。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1-2，本技术提供一种技术方案：一种光伏多晶硅片，包括多晶硅片1，所述多晶硅片1的四端通过弧角5连接，所述多晶硅片1的外侧设有安装套片2，所述多晶硅片1表面设有第一栅线3，所述多晶硅片1表面均匀设有第二栅线4，所述多晶硅片1内部均匀设有硼杂质11，所述多晶硅片1的上表面设有氮化硅薄膜8，所述氮化硅薄膜8上端设有减反射层9，所述减反射层9上侧与多晶硅片1的下侧均设有保护膜7，所述多晶硅片1下端固定连接有电极6，所述第一栅线3的数量不少于4个，且第一栅线3之间相互平行，所述第二栅线4之间相互平行，所述第一栅线3与第二栅线4之间相互垂直，所述电极6的数量为2个，且电极6分别设在多晶硅片1下表面的两侧。工作原理：工作时，通过多晶硅片1外侧的安装套片2使得与相邻多晶硅片1实现连接，将电极6接到相近多晶硅片1的电极上6，通过第一栅线3与第二栅线4对多晶硅片1进行隔离，掺杂在多晶硅片1中的硼杂质11，从而提高了硅片的硬度，减反射层9与氮化硅薄膜8减少了光的反射，从而提升了光能的利用率，在多晶硅片的外侧设有保护膜7，防止了多晶硅片1被腐蚀。尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光伏多晶硅片，包括多晶硅片（1），其特征在于：所述多晶硅片（1）的四端通过弧角（5）连接，所述多晶硅片（1）的外侧设有安装套片（2），所述多晶硅片（1）表面设有第一栅线（3），所述多晶硅片（1）表面均匀设有第二栅线（4），所述多晶硅片（1）内部均匀设有硼杂质（11），所述多晶硅片（1）的上表面设有氮化硅薄膜（8），所述氮化硅薄膜（8）上端设有减反射层（9），所述减反射层（9）上侧与多晶硅片（1）的下侧均设有保护膜（7），所述多晶硅片（1）下端固定连接有电极（6）。

【技术特征摘要】
1.一种光伏多晶硅片，包括多晶硅片（1），其特征在于：所述多晶硅片（1）的四端通过弧角（5）连接，所述多晶硅片（1）的外侧设有安装套片（2），所述多晶硅片（1）表面设有第一栅线（3），所述多晶硅片（1）表面均匀设有第二栅线（4），所述多晶硅片（1）内部均匀设有硼杂质（11），所述多晶硅片（1）的上表面设有氮化硅薄膜（8），所述氮化硅薄膜（8）上端设有减反射层（9），所述减反射层（9）上侧与多晶硅片（1）的下侧均设有保护膜（7），所述多晶硅片（1）下端固...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡伦，
申请(专利权)人：温州巨亮光伏科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33