【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种多晶硅冷氢化设备气流分布装置，尤其是使设备内部混合气体能够均勻分布且降低气体流速的装置。
技术介绍
目前，多晶硅行业作为新兴能源的行业，已经得到了广泛应用，随着技术的不断成熟，对应的冷氢化反应器也相应国产化，并且进行了多次改进，但其冷氢化设备内部的混合气体仍然存在分布不均勻，气体流速过快的现象，从而不能完全反应，大大降低了三氯氢硅的产量。
技术实现思路
本技术目的是提出一种多晶硅冷氢化反应器的气流分布板结构，克服现有的混合气体在设备内不能均勻分布，且气体流速过快的缺陷，该结构能够使气体在设备内分布均勻，流速降低，能够充分发生反应，提高三氯氢硅的产量。本技术的技术方案是多晶硅冷氢化反应器气流分布板，其特征是在多晶硅冷氢化反应器内部的一个水平截面上安装分布板，气流分布板为整体或分片拼成一个圆板结构；在分布板上均勻布孔。孔的面积占整个分布板面积的20-80%。尤其是40-70%。孔的形状包括圆、椭圆、矩形、三角形、梯形、六边形、五边形、卵形等等。本技术的有益效果是，使混合气体能够均勻分布，且降低气体流速，内部混合气体能够充分发生反应，提高三氯氢硅的产量。附图说明图1是气流分布板的布孔示意图。具体实施方式以下结合附图和实例对本技术进一步说明。在气流分布板1上面机加工若干个孔2，孔在分布板上均勻分布，气流分布板可以为整体或分片拼成整圆的结构，气流分布板上的孔槽大小及数量不限。当混合气体流到分布板位置时只能从加工成型的孔槽处流出，从而使混合气流能够均勻分布，且气流流速减慢，提高冷氢化效率，增加三氯氢硅产量合。气流分布板可以根据设备的大小制造成整体或分片折叠...
【技术保护点】
１．多晶硅冷氢化反应器气流分布板，其特征是：在多晶硅冷氢化反应器内部的一个水平截面上安装分布板，气流分布板为整体或分片拼成一个圆板结构；在分布板上均匀布孔。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴厚金，郝雪霞，周景蓉，吴小玲，
申请(专利权)人：南京德邦金属装备工程有限公司，
类型：实用新型
国别省市：84
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