一种用于抗腐蚀掩膜浆料的清洗工艺方法技术

一种用于抗腐蚀掩膜浆料的清洗工艺方法，包括以下步骤：(1)碱溶液鼓泡：利用鼓泡加速掩膜浆料的脱离、溶解，去除大部分掩膜浆料；(2)纯水喷淋：利用喷淋的方式快速去除硅片表面残留化学品；(3)碱溶液鼓泡：利用鼓泡加速掩膜浆料的脱离、溶解，去除残留的掩膜浆料；(4)纯水喷淋：利用喷淋的方式快速去除硅片表面残留化学品；(5)超声波清洗：利用酒精溶液超声，清洗掉硅片表面附着的有机物；(6)纯水喷淋：利用喷淋的方式快速洗去硅片表面上的化学品。与现有普遍采用的用于抗腐蚀掩膜浆料的清洗工艺相比，本发明专利技术可彻底去除硅片表面的掩膜浆料及各种杂质，杜绝了其对后续工艺及最终电池片性能的影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，属于硅基太阳能电池制造领域。
技术介绍
选择性发射极太阳能电池因其结构上的优势可获得较高的转换效率而成为研究的热点。其结构主要有两个特征在金属栅线下及附近形成掺杂浓度相对较高、结较深的重扩散区域；其他位置形成掺杂浓度相对较低、结较浅的轻扩散区域。这种结构可通过重扩散、掩膜印刷、腐蚀来实现。首先在硅片表面形成重扩散区域(方块电阻30-40欧姆)，再在硅片表面印刷出抗腐蚀掩膜浆料(图形与正电极完全相同)，通过化学腐蚀方法刻蚀非掩蔽区域(刻蚀深度30-100nm)，再清洗掉抗腐蚀掩膜浆料。目前实验中通常单纯采用低浓度碱溶液对抗腐蚀掩膜浆料进行清洗。但仅用碱溶液的清洗存在很多问题清洗时间短，硅片表面掩膜浆料清洗不干净，表面残留的抗腐蚀掩膜浆料在后续的高温过程中，很可能进入硅片体内，引起少子寿命降低；清洗时间长，硅片表面被碱溶液过腐蚀，甚至完全腐蚀掉PN 结，两者都将导致成品太阳能电池片的电性能降低。
技术实现思路
为了克服现有技术结构的不足，本专利技术提供，完全清洗掉了硅片表面残留的抗腐蚀掩膜浆料及其他杂质，同时抑制了碱溶液对PN 结的腐蚀，防止了因清洗不完全或腐蚀过量引起的太阳能电池片的电性能衰减。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是，含有以下步骤(1)碱溶液鼓泡利用鼓泡加速掩膜浆料的脱离、溶解，去除大部分掩膜浆料；(2)纯水喷淋利用喷淋的方式快速去除硅片表面残留化学品；(3)碱溶液鼓泡利用鼓泡加速掩膜浆料的脱离、溶解，去除残留的少量掩膜浆料；(4)纯水喷淋利用喷淋的方式快速去除硅片表面残留化学品；(5)超声波清洗利用酒精溶液超声，清洗掉附着于硅片表面的有机物；(6)纯水喷淋利用喷淋的方式快速洗去硅片表面上的化学品。本专利技术步骤(1)中所述的碱溶液中添加了一种醚类物质(丙二醇甲醚，乙二醇乙醚或二丙二醇二甲醚等)，碱(氢氧化钾、氢氧化钠或氨水等)浓度为1_5%，醚类物(丙二醇甲醚，乙二醇乙醚或二丙二醇二甲醚等)浓度为5_10%，时间为 10-90 秒；鼓泡均勻性与鼓泡力度均需控制，如果鼓泡力度太大，容易碎片；鼓泡力度太小， 清洗不干净。本专利技术步骤( 中所述的纯水喷淋时间为60-150秒，如果时间过短，清洗不干净； 时间过长易造成碎片。本专利技术步骤(3)中所述的碱溶液鼓泡中添加了一种醚类物质(丙二醇甲醚，乙二醇乙醚，二丙二醇二甲醚等)，碱溶液浓度为1-5%，醚溶液浓度为5-10%，时间为10-90秒。 鼓泡均勻性与鼓泡力度均需控制，如果鼓泡力度太大，容易碎片；鼓泡力度太小，清洗不干净。本专利技术步骤(4)中所述的纯水喷淋时间为60-150秒，如果时间过短，清洗不干净； 时间过长易造成碎片。本专利技术步骤(5)中所述的超声清洗时间为300-500秒，酒精浓度20-50%，溶液温度40-65摄氏度，利用酒精溶液超声比较适用于有机物的清洗，故在此过程引入，超声波的时间及溶液温度均需控制，时间短、温度低，则清洗效果不明显；时间长、温度高，易造成碎片，且溶液挥发快。本专利技术步骤(6)中所述的纯水喷淋时间为60-150秒，如果时间过短，清洗不干净； 时间过长易造成碎片。与现在普遍采用的用于抗腐蚀掩膜浆料清洗工艺相比，本专利技术可彻底的清除掉了硅片表面的各种杂质，杜绝了其对后续工艺及最终电池片性能的影响。具体实施例方式显然，本领域技术人员基于本专利技术的宗旨所做的许多修改和变化属于本专利技术的保护范围。实施例1 (1)碱溶液鼓泡利用鼓泡加速掩膜浆料的脱离、溶解，去除大部分掩膜浆料，碱溶液(氢氧化钾、氢氧化钠或氨水等)浓度为3%，醚(丙二醇甲醚，乙二醇乙醚或二丙二醇二甲醚等)浓度为10%，时间为10秒；(2)纯水喷淋将碱溶液清洗后硅片放入纯水喷淋槽，用喷淋的方式快速去除硅片表面残留化学品，喷淋时间为90秒；(3)碱溶液鼓泡利用鼓泡加速掩膜浆料的脱离、溶解，去除残留的掩膜浆料，碱溶液(氢氧化钾、氢氧化钠或氨水等)浓度为3%，醚(丙二醇甲醚，乙二醇乙醚或二丙二醇二甲醚等)浓度为10%，时间为10秒；(4)纯水喷淋将碱溶液清洗后硅片放入纯水喷淋槽，用喷淋的方式快速去除硅片表面残留化学品，喷淋时间为90秒；(5)超声波清洗利用酒精溶液超声，清洗掉硅片表面附着的有机物，酒精浓度 30%，温度60摄氏度，时间250秒；(6)纯水喷淋将超声波清洗后硅片放入纯水喷淋槽，用喷淋的方式快速去除硅片表面残留化学品，喷淋时间为90秒。实施例2 (1)碱溶液鼓泡利用鼓泡加速掩膜浆料的脱离、溶解，去除大部分掩膜浆料，碱溶液(氢氧化钾、氢氧化钠或氨水等)浓度为1%，醚(丙二醇甲醚，乙二醇乙醚或二丙二醇二甲醚等)浓度为10%，时间为45秒；(2)纯水喷淋将碱溶液清洗后硅片放入纯水喷淋槽，用喷淋的方式快速去除硅片表面残留化学品，喷淋时间为90秒；(3)碱溶液鼓泡利用鼓泡加速掩膜浆料的脱离、溶解，去除残留的掩膜浆料，碱溶液浓度为1 %，醚浓度为10%，时间为15秒；(4)纯水喷淋将碱溶液清洗后硅片放入纯水喷淋槽，用喷淋的方式快速去除硅片表面残留化学品，喷淋时间为90秒；(5)超声波清洗利用酒精溶液超声，清洗掉硅片表面附着的有机物，酒精浓度 50%，温度60摄氏度，时间150秒；(6)纯水喷淋将超声波清洗后硅片放入纯水喷淋槽，用喷淋的方式快速去除硅片表面残留化学品，喷淋时间为90秒。如上所述，对本专利技术的实施例进行了详细地说明，但是只要实质上没有脱离本专利技术的专利技术点及效果可以有很多的变形，这对本领域的技术人员来说是显而易见的。因此，这样的变形例也全部包含在本专利技术的保护范围之内。权利要求1.，其特征在于包括以下步骤(1)碱溶液鼓泡利用鼓泡加速掩膜浆料的脱离、溶解，去除大部分的掩膜浆料；(2)纯水喷淋利用喷淋的方式快速去除硅片表面残留化学品；(3)碱溶液鼓泡利用鼓泡加速掩膜浆料的脱离、溶解，去除残留的少量掩膜浆料；(4)纯水喷淋利用喷淋的方式快速去除硅片表面残留化学品；(5)超声波清洗利用酒精溶液超声，清洗掉附着于硅片表面的有机物；(6)纯水喷淋利用喷淋的方式快速洗去硅片表面上的化学品。2.根据权利要求1所述的，其特征是步骤(1)中所述的碱溶液鼓泡中添加了一种醚类物质为丙二醇甲醚，乙二醇乙醚或二丙二醇二甲醚；碱溶液为氢氧化钾、氢氧化钠或氨水；浓度为1_5%，醚溶液为丙二醇甲醚，乙二醇乙醚或二丙二醇二甲醚；浓度为5-10%，时间为10-90秒。3.根据权利要求1所述的，其特征是步骤(2)中所述的喷淋时间为60-150秒。4.根据权利要求1所述的，其特征是步骤(3)中所述的碱溶液鼓泡中添加了一种醚类物质为丙二醇甲醚，乙二醇乙醚或二丙二醇二甲醚，碱溶液浓度为1_5%，醚溶液浓度为5-10%，清洗时间为10-90秒。5.根据权利要求1所述的，其特征是步骤(4)中所述的喷淋时间为60-150秒。6.根据权利要求1所述的，其特征是步骤(5)中所述的酒精浓度为10-50%，超声波频率为40kHz，溶液温度为40-65摄氏度，清洗时间为300-500秒。7.根据权利要求1所述的，其特征是步骤(6)中所述的喷淋时间为60-150秒。全文摘要，包括以下步骤(1)碱溶液鼓泡利用鼓泡加速掩膜浆料的脱离、溶解，去除大部分掩膜浆料；(2)纯水喷淋利用喷淋的方式快速去除硅片表面残留化学品；(3)碱溶液鼓泡本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙良欣，徐国良，郭育林，
申请(专利权)人：青岛吉阳新能源有限公司，
类型：发明
国别省市：