半导体用膜和半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的半导体用膜，是依次层叠支承膜、第二粘着层、第一粘着层和粘接层来形成，并以如下方式构成：在粘接层上层叠半导体晶片并在通过切割使该半导体晶片单片化时支承半导体晶片，而且在拾取单片化的半导体元件时，第一粘着层与粘接层之间有选择性地发生剥离。该半导体用膜的特征在于，第一粘着层的平均厚度为20μm～100μm。基于此，可容易且可靠地控制切割时所形成的切槽前端停止于第一粘着层内，并能够防止因切槽达到支承膜所造成的缺陷。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
近年来，随着电子设备的高性能化和在移动装置用途上的扩大，对半导体装置的高密度化、高集成化的要求在加强，并且在IC封装的大容量高密度化方面不断发展。在这些半导体装置的制造方法中，首先，在由硅、镓、砷等构成的半导体晶片上粘贴粘接片，并且在用晶片环(wafer ring)固定半导体晶片周围的同时，通过切割工序将上述半导体晶片切割分离(单片化)成单独的半导体元件。接着进行如下工序使单片化的单个半导体元件相互分离的展开工序，以及拾取单片化的半导体元件的拾取工序。然后，移送至芯片接合工序中，以使所拾取的半导体元件搭载于金属引线框或者基板(例如，胶带基板(tapesubstrate)、有机硬质基板等)。由此，获得半导体装置。另外，在芯片接合工序中，通过将所拾取的半导体元件层叠在其它半导体元件上， 还能够获得在一个封装内搭载有多个半导体元件的芯片堆叠式半导体装置。作为上述半导体装置的制造方法中所用的粘接片，已知有在基材膜上依次层叠第一粘接剂层和第二粘接剂层而形成的粘接片(例如，参照专利文献1)。该粘接片，以粘贴于半导体晶片上的状态应用于上述切割工序中。在切割工序中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：安田浩幸，平野孝，织田直哉，
申请(专利权)人：住友电木株式会社，
类型：发明
国别省市：