晶体管的制作方法技术

本发明专利技术提供了一种晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有牺牲层、伪栅极，所述牺牲层和伪栅极两侧的半导体衬底上形成有侧墙；在所述伪栅极和侧墙两侧的半导体衬底内形成源区和漏区；在所述半导体衬底上形成与所述伪栅极齐平的层间介质层；去除所述伪栅极和牺牲层，形成露出所述半导体衬底的沟槽；在所述沟槽底部形成栅介质层；在所述沟槽侧壁和栅介质层上形成高K介质层；在所述沟槽内的高K介质层上形成金属栅极，所述金属栅极与所述层间介质层齐平。本发明专利技术的栅介质层的结构完整，提高了所述高K介质层与栅介质层之间的粘附性，减小了晶体管的漏电流，改善了晶体管的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别涉及。
技术介绍
随着集成电路特征尺寸缩小至深亚微米的领域，晶体管的栅极尺寸缩小，相应地作为栅介质层的二氧化硅层的厚度也需要减小，以提高晶体管的栅极电容，防止器件出现短沟道效应。但是当栅介质层厚度逐渐缩小，栅介质层的厚度减小至3纳米以下，随之产生很多问题，例如⑴漏电流增加；⑵杂质扩散，即栅介质层和半导体衬底之间存在杂质浓度梯度，所述杂质会从栅极中扩散到半导体衬底中或者固定在栅介质层中，最终影响器件的性能。因此，本领域技术人员采用新的栅介质层来取代现有的栅介质层来取代现有的二氧化硅。为了保持栅介质层的电容不变，本领域技术人员采用高介电常数(高K)介质层作为新的栅介质层。所述高K介质层具有较好的热稳定性和机械强度，能够获得更小的漏电流。现有技术利用高K介质层制作晶体管的方法请参考图1至图5。首先，请参考图 1，提供半导体衬底100，所述半导体衬底100内形成有隔离结构101，所述隔离结构101用于相邻的晶体管之间的隔离。所述半导体衬底100表面还依次形成有栅介质层102、伪栅极 103和位于所述栅介质层102、伪栅极103两侧的侧墙104。然后，继续本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：康芸，李敏，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：