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本发明提供了一种晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有牺牲层、伪栅极，所述牺牲层和伪栅极两侧的半导体衬底上形成有侧墙；在所述伪栅极和侧墙两侧的半导体衬底内形成源区和漏区；在所述半导体衬底上形成与所述伪栅极齐平的层...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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