一种低栅电容TGBT功率器件制造技术

一种低栅电容TGBT功率器件，包括硅片、热场氧化层、热氧化栅氧层、多晶硅层和二氧化硅层，所述将硅片进行热场氧化，使其在硅片上方成长热场氧化层；所述将热场氧化层进行光刻，并保留部分在P型区外的表面，保留N+源区的部分场氧化层作为N+源区注入的屏蔽口；所述该硅片被热氧化作为栅氧化层，淀积多晶硅层作为栅极导电层；所述淀积二氧化硅层作为多晶硅上保护层。本实用新型专利技术具有结构简单，制造方便，成本低和产品易保证的诸多优点，本实用新型专利技术是将IGBT的制造过程中的厚场氧化保留在P型区外的表面，从而增加了部分栅区的氧化层厚度，因电容是和介质层的厚度成反比，从而使栅电容降低，大大的提高制造成品率，具有很强的经济性和实用性。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

一种低栅电容TGBT功率器件
本技术涉及微电子
，尤其是涉及一种低栅电容TGBT功率器件。技术背景现有的功率器件IGBT是一种栅极电压控制，二种载流子参入导电的器件，他具有驱动电路简单，电流能力大，易于集成等优点。IGBT的栅电极的面积占据其总面积的一半以上，为了减少IGBT的驱动功率，需要减少IGBT的栅区电容。传统的IGBT的栅电容是多晶硅和器件的表面形成的电容，中间的介质层是栅氧，栅氧化层很薄，栅电容较大。
技术实现思路
本技术目的是提供一种低栅电容TGBT功率器件。以解决现有技术所存在的栅氧化层薄，栅电容较大等技术问题。为解决上述技术问题，本技术所采用的技术方案是该低栅电容TGBT功率器件，包括硅片、热场氧化层、热氧化栅氧层、多晶硅层和二氧化硅层，所述硅片进行热场氧化，使其在硅片上方成长热场氧化层；所述将热场氧化层进行光刻，并保留部分在P型区外的表面，保留N+源区的部分场氧化层作为N+源区注入的屏蔽口 ；所述该硅片被热氧化作为栅氧化层，淀积多晶硅层作为栅极导电层；所述淀积二氧化硅层作为多晶硅层上保护层。本技术具有结构简单，制造方便，成本低和产品易保证的诸多优点，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王新，
申请(专利权)人：深圳市稳先微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：