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一种低栅电容TGBT功率器件，包括硅片、热场氧化层、热氧化栅氧层、多晶硅层和二氧化硅层，所述将硅片进行热场氧化，使其在硅片上方成长热场氧化层；所述将热场氧化层进行光刻，并保留部分在P型区外的表面，保留N+源区的部分场氧化层作为N+源区注入的...
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