【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅的精制或除杂方法，即从较低纯度的硅获得较高纯度的、符合太阳能级或半导体级纯度的晶硅的方法，适用于从各种纯度的硅或含硅材料制造高纯硅材料。 也可用于硅的一般除杂。
技术介绍
用于制造半导体或电子元器件、例如集成电路芯片、晶闸管芯片、光伏电池片的硅晶片，需要使用高纯硅材料，其纯度通常在6N 7N以上，和极低的杂质含量，一般单一金属杂质低于0. lppm，氧、碳在数ppm，硼、磷等电性杂质在0. 1 0. 5ppm以下。高纯硅的工业生产，目前主要采用改良西门子法和硅烷法，通过将硅制成气、液态化合物三氯氢硅和硅烷，经精馏提纯后再还原成硅，称之为化学法。这两种工艺过程复杂、 需要消耗大量的能量，并使用和产生环境危害物质，能耗和成本也较高，同时，生产规模小， 单位产能投资规模巨大，难以适应市场迅速扩张对高纯硅的需要。已知硅中的主要杂质成分，在从熔体凝固成晶体的过程中，在硅晶体和剩余硅熔体之间存在偏析效应，其中，绝大多数杂质的偏析系数很低，即在晶体中含量较低，杂质更多地留在剩余熔体中。因此，区域熔化、方向凝固等方法被用来除去硅的部分杂质。通过反复多次的区域熔化...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
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