一种工业硅加压提纯的方法技术

本发明专利技术涉及一种工业硅加压提纯的方法。将纯度大于９８％的块状工业硅经过预处理后得到粒度为５０～１０００目的粉状工业硅；粉状工业硅与浓度为０．１ｍｏｌ／Ｌ～１０ｍｏｌ／Ｌ的硫酸或浓度为０．１ｍｏｌ／Ｌ～９ｍｏｌ／Ｌ的盐酸或浓度为０．１ｍｏｌ／Ｌ～９ｍｏｌ／Ｌ的硝酸按照液固比为０．５∶１～２０∶１混和后进行加压提纯，加压提纯过程的温度为７０℃～３５０℃、压力为０．１ＭＰａ～２５ＭＰａ、搅拌速度为２５０ｒ／ｍｉｎ～１２００ｒ／ｍｉｎ、处理时间为０．２ｈ～２４ｈ；加压提纯后的硅物料最后采用浓度为０．５ｍｏｌ／Ｌ～８ｍｏｌ／Ｌ的氢氟酸进行进一步的处理，得到９９．９９％以上的高纯硅。处理后的浸出液经过萃取系统处理后得以循环利用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制备高纯硅的方法，属于真空冶炼提纯方法。二
技术介绍
由于高稳定效率、低环境负荷以及性能持久等优点，晶体硅一直作为基本的 太阳能电池材料而占据着统治地位。传统的西门子法生产出来的太阳能电池用多 晶硅，已经出现了原料供应短缺等问题，同时由于该技术路线投资大、生产成本 高、安全性能差，国内外己开始研究太阳能级多晶硅的新方法。我国的闻瑞梅等人申请的专利用三氯氢硅和四氯化硅混合源生产多晶硅的 方法(专利号为02137592.5，公告日期为2003年03月19日)，该专利技术涉及一种 全新的氢还原生产多晶硅的工艺。该专利技术在多晶硅生产过程中，充分利用生产过 程产生的SiCU、 HC1，达到既保证高质量、高产率。又降低原材料工业硅、氢气 及氯气的消耗，降低了成本。日本开发了一种新方法来提纯粗硅用于太阳能电池。这种技术所用的原料为 纯度为95 %左右的粗硅。首先，在150(TC和真空条件下，将其熔化，并用750 kW电子束将粗硅中的磷气化掉。采用定向凝固技术，使硅晶体在一个方向上排 列，将铁、铝等金属杂质分离出来，而硼和碳则用等离子熔化和氧化工艺去掉。 然后采用第二次定向凝固本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种工业硅加压提纯方法，其特征在于：按以下步骤完成，１）、将纯度大于９８％块状工业硅原料经予处理后得到粒度为５０～１０００目的粉末硅；２）、粉末硅与浓度为０．１ｍｏｌ／Ｌ～１０ｍｏｌ／Ｌ的硫酸、浓度为０．１ｍｏｌ／Ｌ～９ｍｏｌ／Ｌ的盐酸或浓度为０．１ｍｏｌ／Ｌ～９ｍｏｌ／Ｌ的硝酸按照重量液固比为０．５～２０∶１混和后投入到加压提纯反应器中，用热媒加热，在反应温度为７０～３５０℃，反应压力为０．１ＭＰａ～２５ＭＰａ，搅拌速度为２５０ｒ／ｍｉｎ～１２００ｒ／ｍｉｎ的条件下反应０．２ｈ～２４ｈ，然后液固相进行分离，得到硅粉和浸出溶液；３）、分离后的硅粉用浓度为０．５ｍｏｌ／Ｌ～８ｍｏｌ／Ｌ的氢氟酸，...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马文会，杨斌，刘大春，戴永年，谢克强，于站良，魏奎先，伍继君，徐宝强，郁青春，曲涛，
申请(专利权)人：昆明理工大学，
类型：发明
国别省市：53[]