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本发明涉及硅的精制和除杂方法，即从较低纯度的硅获得较高纯度、特别是低硼、低磷杂质含量的、满足半导体和电子元器件所需的纯度较高的硅原料的方法。现有的高纯硅制造方法，存在着能耗大、生成环境危害因子、成本高、工艺复杂、投资大等问题，本发明采用将硅...
该专利属于赵钧永所有，仅供学习研究参考，未经过赵钧永授权不得商用。

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