【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于半导体制作的方法，特别是关于一种改进硅化金属制作的方法。
技术介绍
由于半导体制作尺寸的缩小，则寄生电阻如接触电阻以及片电阻会增加。而为了减少寄生电阻，硅化金属(Silicide)制作是广受注意以及欢迎的。在各种不同的硅化金属中，二硅化钴(CoSi2)以及二硅化钛(TiSi2)是最被受重视以及学习的。它们可以被应用到自行对准硅化金属制作(SALICIDE)中以及在不同硅化金属中以显示出其最低的电阻率。且对于改进热稳定，以及磊晶地成长硅化金属都是被需要的。图1A至图1D显示现有技术制作的顺序。图1A显示一基本半导体结构101，它包含一具有两掺杂区103A，103B的底材102，一具有向上表面以及多数个侧面的栅极电极104，一间隙壁105位于栅极电极104的每一个侧面上及留有一部份掺杂区103A，103B曝露出来，以及隔离元件(isolation device)或称数个绝缘物106A，106B以阻隔其它半导体结构。图1B显示沉积一外延硅(Epitaxial Silicon)111，在掺杂区103A，103B曝露出来的部份以及栅极电极104的向上表面；...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种形成硅化金属(silicide)的处理方法，包含提供一半导体结构，该半导体结构具有一半导体表面与一绝缘表面；形成一外延层于该半导体表面上；处理该半导体结构，其中，该处理步骤中对该绝缘表面的移除速率大于对该外延层的移除速率；形成一金属层于该外延层上；以及加热该外延层以形成一硅化金属。2.根据权利要求1所述的形成硅化金属的处理方法，其特征在于，提供该半导体结构的步骤包含形成一底材以及一栅极电极以构成该半导体结构的一部份。3.根据权利要求2所述的形成硅化金属的处理方法，其特征在于，形成该半导体表面的步骤包含形成一掺杂区于该底材以构成该半导体表面的一部份。4.根据权利要求2所述的形成硅化金属的处理方法，其特征在于，形成该半导体表面的步骤包含形成一向上表面位于该栅极电极上以构成该半导体表面的一部份。5.根据权利要求2所述的形成硅化金属的处理方法，其特征在于，形成该绝缘表面的步骤包含形成一间隙壁位于该栅极电极的边缘以构成该绝缘表面的一部份。6.根据权利要求2所述的形成硅化金属的处理方法，其特征在于，形成该绝缘表面的步骤包含形成一隔离元件(isolation device)于该底材以构成该绝缘表面的一部份。7.根据权利要求1所述的形成硅化金属的处理方法，其特征在于，形成该外延层的步骤包含形成一外延硅层。8.根据权利要求1所述的形成硅化金属的处理方法，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴炳昌，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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