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一种形成硅化金属（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）的处理方法，包含：　　　　提供一半导体结构，该半导体结构具有一半导体表面与一绝缘表面；　　　　形成一外延层于该半导体表面上；　　　　处理该半导体结构，其中，该处理步骤中对该绝缘表面的移除速率大于对该外延层...
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