卡盘和半导体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用在真空处理室中的卡盘，包括卡盘主体；冷却部件；以及膨胀隔热组件，设置在冷却部件与卡盘主体之间，膨胀隔热组件、卡盘主体和冷却部件限定出密封空间且冷却部件适于利用密封空间中的导热气体移除卡盘主体中所产生的热量，其中膨胀隔热组件包括：上隔热部，与卡盘主体密封接触；下隔热部，与冷却部件密封接触；设置在上隔热部和下隔热部之间的环形薄壁部。本发明专利技术的卡盘可以彻底解决热膨胀及隔热问题，有效提高卡盘的温度均匀性。由此，卡盘可以实现在例如200摄氏度之上的高温段下的晶片处理。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种卡盘和半导体处理装置。
技术介绍
随着半导体制备工艺的不断发展，等离子装置特别是电感耦合等离子体(ICP)装置被广泛地应用于集成电路(IC)或MEMS器件的制造工艺中。等离子装置主要是将等离子体中的大量活性粒子和衬底相互作用使材料表面发生各种物理和化学反应，从而使材料表面性能获得变化。其中，活性粒子包括电子、离子、激发态的原子、分子和自由基。这些活性粒子在基于半导体处理装置的制造中，可以将多层材料交替的沉积到衬底表面并从衬底表面刻蚀该多层材料。在等离子体装置中，卡盘是其中较为重要的一个部件，广泛的应用于集成电路制造工艺过程中，特别是等离子刻蚀(ETCH)、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)等工艺。卡盘主要用于在反应室内固定、支撑及传送晶片(Wafer)，并且为晶片提供直流偏压并且控制晶片表面的温度。但是，低温卡盘工作温度一般控制在120°C以内，而进入32-22纳米技术带后，高K栅介质和金属栅电极MOS器件被引入IC生产工艺。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决上述技术问题之一。为此，本专利技术的目的在于提出一种用在真空处理室中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：彭宇霖，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：