半导体存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体存储装置。在一个示例性的实施例中，所述半导体存储装置可以包括：列控制信号发生器，所述列控制信号发生器被配置为在数据屏蔽操作期间产生与数据屏蔽对应的位线对的列控制信号；以及位线感测放大器，所述位线感测放大器被配置为感测并放大位线对之间的电压差，并响应于列控制信号而将位线对与区段输入/输出线对电耦合。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体存储装置，更具体而言，涉及一种利用数据屏蔽(data mask)方法的半导体存储装置。
技术介绍
尽管在半导体存储装置中写入了新数据，但可以执行常见的数据屏蔽操作使得不改变已写入特定存储区的信息。尤其是，当输入和输出具有相同信息的数据时，数据屏蔽操作可以防止对相应数据的不必要的输入和输出。在诸如DRAM的典型半导体存储装置中，可以根据下列过程来执行数据屏蔽操作。 在DRAM中，写入操作是以如下方式执行的根据输入的数据将区段输入/输出线对SIO/ SIOB预充电，并且在列控制信号YI被激活时将位线感测放大器所放大的位线对BL/BLB与区段输入/输出线对SI0/SI0B电耦合。在数据屏蔽操作中，在不使用输入数据的情况下将区段输入/输出线对SI0/SI0B预充电至预定电平、例如核心电压VC0RE，并且在数据写入操作的情况下，在列控制信号YI被激活时分别将位线对BL/BLB以及被预充电至核心电压 VCORE的区段输入/输出线对SI0/SI0B电连接。这样，不会改变位线对BL/BLB的逻辑值。在这样的数据屏蔽操作中，当由位线感测放大器放大的位线对BL/BLB以及被预充本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：朴文必，李政桓，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：