ESD保护器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种放电能力优异而短路不良较少、且制造时无需特别的工序、生产性优异的ESD保护器件及其制造方法。ESD保护器件包括：具有玻璃组分的陶瓷基材1；相对电极2，该相对电极2包括一侧相对电极2a及另一侧相对电极2b，其中，在陶瓷基材的表面以使得前端部彼此相对的方式来形成该一侧相对电极2a及该另一侧相对电极2a；以及放电辅助电极3，该放电辅助电极3在相对电极之间与一侧相对电极及另一侧相对电极分别连接，且配置成使得从一侧相对电极横跨到另一侧相对电极，该ESD保护器件采用如下结构：在放电辅助电极和陶瓷基材之间具有密封层11，该密封层11用于防止玻璃组分从陶瓷基材浸入放电辅助电极。另外，采用如下结构：在密封层与陶瓷基材的界面包括反应层，该反应层包含由密封层与陶瓷基材的构成材料之间的反应而生成的反应生成物。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种保护半导体装置等不受静电破坏的ESD保护器件及其制造方法。
技术介绍
近年来，在使用民用设备时，作为输入输出接口的线缆的插拔次数趋于增加，存在易对输入输出连接器部施加静电的状况。另外，随着信号频率的高频化，因设计规则的细分化而导致难以完善路径，LSI自身对于静电变得脆弱。因此，保护LSI等半导体装置不受静电放电(ESD) (Electron-Statics Discharge)影响的ESD保护器件已被广泛使用。作为这种ESD保护器件，提出了如下的ESD保护器件(芯片型浪涌吸收器)及其制造方法(参照专利文献1)该ESD保护器件包括绝缘芯片体，该绝缘芯片体具有在中心密封有惰性气体的密闭空间；相对电极，该相对电极在同一面上具有微间隙；以及外部电极。然而，在该专利文献1的ESD保护器件(芯片型浪涌吸收器)中，由于电子需要在相对电极的微间隙之间跳跃而没有任何辅助，因此其放电能力取决于微间隙的宽度。而且， 虽然该微间隙越窄则作为浪涌吸收器的能力越高，但当使用专利文献1所记载的印刷工艺来形成相对电极时，间隙可形成宽度存在极限，若过窄则存在因相对电极之间耦合而会发生短路不良等问本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：鹫见高弘，泽田惠理子，足立淳，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：